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联发科天玑9500发布:3nm工艺加持,性能超越苹果A19 Pro
联发科在深圳正式发布年度旗舰芯片天玑9500。这款芯片采用台积电第三代3nm制程(N3P工艺),集成超过300亿个晶体管,成为联发科有史以来性能最强大的移动平台。
2025-09-25
联发科 天玑9500 第三代3纳米制程 台积电N3P
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NAND Flash价格进入上升通道,2026年涨幅最高达20%
全球存储市场迎来转折点。研究机构TrendForce最新报告指出,NAND Flash第四季度合约价将全面上涨5-10%。而到2026年上半年,涨幅可能进一步扩大至15-20%。这一变化标志着存储市场正式进入新一轮上升周期。
2025-09-25
NAND Flash QLC SSD 需求 存储市场 AI 数据中心 企业级 SSD
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欧姆龙电子元器件业务将独立运营,2026年4月前完成分拆
欧姆龙于9月19日正式宣布,计划在2026年4月1日前完成对器件与模块解决方案部门(DMB)的拆分工作。该部门作为欧姆龙的创始业务,主要生产继电器、开关、连接器、传感器及模块等核心电子元件。
2025-09-25
欧姆龙 业务分拆 电子元器件 器件与模块解决方案 DMB 电动汽车 继电器
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美光2025财年营收374亿美元,AI驱动增长49%
全球存储芯片巨头美光科技交出了一份令人瞩目的2025财年成绩单。在截至2025年8月28日的财年中,公司营收达到373.78亿美元,同比激增48.85%,创下历史新高。
2025-09-25
美光 AI存储需求 HBM芯片市场
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大摩:AI热潮推动存储产业进入“超级循环”,三星领涨或至2026年
摩根士丹利(大摩)最新报告指出,人工智能(AI)的蓬勃发展正引发一场“存储超级循环”,预计存储产业的上行趋势将持续至2026年下半年,为韩国芯片产业带来“暖冬效应”。其中,三星电子已率先行动,据传正调涨第四季度DRAM和NAND闪存的价格。
2025-09-24
摩根士丹利 存储产业报告 三星电子 存储价格调涨 AI eSSD NAND SK海力士
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美光科技HBM4突围,速度能效双领先
在HBM4存储芯片的激烈角逐中,美光科技凭借其卓越的技术实力,以11Gbps的行业领先速度强势突围,打破了SK海力士和三星长期以来的市场主导格局,为AI存储市场注入了新的活力。
2025-09-24
美光科技 HBM4 SK海力士HBM4 三星HBM4技术 AI存储
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芯片设备需求不振,ASM下调未来展望
近日,荷兰知名芯片制造设备供应商ASM对下半年的营收预期做出了调整,将其下调至更为保守的水平,这一变动主要源于部分客户需求的疲软态势。消息一出,ASM的股价随即出现波动并下跌。
2025-09-24
芯片设备 ASM 先进逻辑芯片设备
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突破!长江存储267层NAND闪存正式量产
据权威机构TechInsights最新报告,长江存储凭借其创新的Xtacking 4.0技术,成功实现267层3D NAND TLC芯片的规模化量产,同时,更高层级的300层以上技术布局也已紧锣密鼓地展开。
2025-09-24
长江存储 267层NAND Xtacking 4.0技术 NAND闪存 晶圆
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高端化引领增长:全球智能手机均价2025年将达370美元
据市调机构Counterpoint Research最新发布的数据显示,受高端化趋势的强劲推动,全球智能手机平均售价(ASP)正呈现逐年稳步增长的态势。预计从2024年的357美元起步,到2025年将攀升至370美元,而到了2029年,这一数字有望突破400美元大关,达到412美元,期间复合年增长率稳定在3%。
2025-09-24
全球智能手机 苹果 华为智能手机复苏 5G技术 折叠屏手机市场
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