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ST 发布先进的超低功耗STM32微控制器，布局工业、医疗、智能表计和消费电子市场
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)发布了注重节能降耗和成本效益的新一代微控制器。与上一代产品相比，新一代能耗降低高达50%。高能效可以减少电池更换次数，最大限度降低废旧电池的环境影响，让更多设计人员选用无电池...
2024-03-20
MCU
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ST 发布先进的高性能无线微控制器，符合即将出台的网络安全保护法规
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;)发布了新一代近距离无线微控制器。在采用这些多合一的创新产品后，穿戴设备、智能家居设备、健康监测仪、智能家电等智能产品将会变得更小、好用、安全、经济实惠。
2024-03-19
MCU
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英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑...
2024-03-19
MOSFET
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金升阳推出2000W大功率AC/DC机壳电源——LMF2000-20Bxx系列
根据市场需求，金升阳持续拓宽机壳开关电源功率段，本次推出的是2000W机壳电源——LMF2000-20Bxx系列。该系列是一款高效率、高可靠的优质电源产品，具有高效率、宽工作温度范围等优势，适用于工业、医疗领域。
2024-03-19
AC/DC电源模块
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博瑞集信推出30MHz～4GHz 低噪声放大器
近日，博瑞集信推出一款型号为BR95321TCJ的低噪声放大器,该产品是一款基于GaAs pHEMT工艺设计的高性能MMIC低噪声放大器，能覆盖 30MHz~4GHz 的频率范围，采用+5V或3.3V 单电源供电，芯片内匹配到50欧姆，射频输入输出端口只需要外加隔直电容。
2024-03-19
功率放大器
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采用遥遥领先芯片的“猎户座”5G RedCap鸿蒙模组及解决方案重磅发布!
九联科技作为始终致力于推动国产芯片自主研发和应用的领军企业，与国内芯片厂商保持着紧密而深入的合作关系。双方联手打造了蕴含着勇毅、力量及探索精神的“猎户座”UMG233系列5G RedCap鸿蒙模组及解决方案。该系列模组采用了5G R17规范下的RedCap技术标准，并支持搭载“鸿蒙”操作系统，尤其适合应用于...
2024-03-19
控制模块
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TDK 推出具备模拟和开关输出的新型双芯片抗杂散场 3D 位置传感器
TDK株式会社（TSE：6762）利用适用于汽车和工业应用场景的新型双芯片传感器 HAR 3920-2100*，进一步扩充了 Micronas 3D HAL® 位置传感器系列。其设计旨在满足在存在干扰杂散场的情况下，对线性位置和角度位置进行高精度测量的需求。根据 ISO 26262 标准开发的 HAR 3920 符合 ASIL C 级要求，适合集...
2024-03-18
位置传感器
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英飞凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V
英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。
2024-03-18
MOSFET
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Vishay推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率...
2024-03-18
MOSFET
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