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导通电阻+热阻双重突破！Vishay 新款80 V MOSFET重构工业电源散热与焊接新标准
全球功率半导体领军企业Vishay Intertechnology（NYSE:VSH）宣布，其TrenchFET® Gen IV系列再添猛将——80V N沟道功率MOSFET SiEH4800EW。这款采用革命性无引线键合（BWL）封装的工业级器件，通过材料科学与拓扑结构的双重创新，实现导通电阻（RDS(on)）较同类产品降低15%、结壳热阻（RthJC）优化18%...
2025-06-03
MOSFET
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18%能效跃升！ROHM首款100V MOSFET破解AI服务器电源瓶颈
日本半导体制造商ROHM最新推出的100V功率MOSFET——RY7P250BM，直击AI服务器48V电源系统的核心痛点。这款仅8×8mm尺寸的芯片，在AI服务器热插拔电路应用中同时实现了更宽的安全工作区（SOA）范围和更低导通电阻的双重突破12。
2025-06-03
MOSFET
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Littelfuse颠覆性新品：全球最小2kA保护晶闸管问世
Littelfuse全球首发采用DO-214AB（SMC）封装的Pxxx0S3G-A系列保护晶闸管，在仅7.1×6.2×2.5mm空间内实现2kA（8/20μs）浪涌防护能力，为车载充电机、光伏逆变器等高密度场景提供汽车级抗瞬变解决方案。较传统TO-262方案节省50%布局空间，同时通过AEC-Q101认证，填补紧凑型高功率防护器件市场空白。
2025-05-30
整流二极管
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电源设计面积缩减50%！TDK推出125℃积层贴片磁珠
TDK推出业界首款 1608封装（1.6×0.8mm）8A积层贴片磁珠MPZ1608-PH ，以单芯片方案终结传统大电流电路需并联磁珠的历史。该产品通过 +125℃汽车级耐温认证 与 8A连续载流能力 ，为车载ECU、服务器电源等场景节省50%布局空间，2025年5月已投入量产。
2025-05-30
磁珠电感
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6.8μs极速响应+高耐压！ABLIC发布电压检测器IC重塑系统的安全新标准
随着800V高压平台普及，车载电子系统过压风险陡增。传统电压检测IC面临 “提速必增功耗” 的技术悖论——响应速度每提升1μs，功耗往往增加5μA以上。ABLIC（美蓓亚三美旗下）突破性推出 S-19116系列电压检测器IC，以 6.8μs业界最快过压响应 与 2.0μA超低工作电流，同步实现安全性与能效的革命性升级，为B...
2025-05-29
功率器件
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120nA超低功耗！多维科技芯片TMR136x攻克CGM续航难题
随着全球糖尿病患病人数突破6亿（IDF 2025数据），连续血糖监测（CGM）设备正向微型化、长续航、高精度方向急速进化。江苏多维科技推出的TMR136x系列磁开关芯片，凭借隧道磁阻（TMR）技术实现120nA超低待机电流与1.6mm×1.6mm微型封装，直击传统霍尔传感器功耗高、体积大的痛点，为医疗电子设计提供...
2025-05-29
Wi-Fi芯片
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意法半导体eSIM卡获GSMA认证重塑物联网连接安全
意法半导体宣布其 ST4SIM-300 eSIM卡 通过GSMA SGP.32认证，成为全球首批符合该标准的物联网专用嵌入式SIM。凭借 -40℃~105℃工业级宽温域、NB-IoT/Cat-M窄带支持 及 GSMA IoT SAFE安全单元集成 ，该产品直击数十亿物联网设备的连接管理痛点，为智能表计、移动医疗等场景提供“连接即服务”的革命性解决...
2025-05-28
电流传感器
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2.5mA静态功耗突破：AOS发布AMD SVI3多相控制重新定义显卡电源效率
随着AMD Navi48显卡功耗突破350W、AM5平台CPU瞬态响应要求<2μs，传统多相控制器已成能效瓶颈。AOS推出 双输出8相控制器AOZ98252QI ，以 2.5mA超低静态功耗（竞品5倍以上）、 AMD SVI3高速接口 及 A2TM瞬态调制技术 ，直击高性能计算平台的能效痛点。该方案通过8+0至4+4相位灵活配置，为显卡与台式机...
2025-05-28
直流电机
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内置自举二极管+UVLO保护：意法半导体GaN驱动器如何实现能效革命？
随着消费电子快充迈入240W、工业伺服电机开关频率突破100kHz，传统硅基驱动芯片已成GaN性能释放的瓶颈。意法半导体正式推出STDRIVEG610与STDRIVEG611两款GaN半桥栅极驱动器，针对消费级电源适配器、工业伺服电机等场景优化设计。通过集成自举二极管、智能保护功能及纳秒级传输延迟，为600V GaN功率...
2025-05-28
LED驱动IC
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