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IGBT模块
士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力
针对这一需求，士兰微电子近期推出了一款高性能的汽车驱动模块——600A/1200V IGBT模块（B3模块）, 它能够提升新能源汽车充电速度和行驶动力，为用户带来更高的效率和更好的体验。
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能
意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。
英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合，推出全新电流额定值模块
英飞凌科技股份公司推出搭载1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大的灵活性，还提供更高的功率密度和更优秀的电气性能。新型模块专为满足集中式太阳能逆变器以及工业电机驱动和不间断电源（UPS）的需求而开发。此外，它还广泛适用于电动汽车充电桩、储能系统（ESS）和其他新型工业应用。
英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品
英飞凌科技股份公司推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。
英飞凌推出面向高能效电源应用的分立式650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品
英飞凌科技推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其TRENCHSTOP™ IGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP™ IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。因此，该半导体器件适合用于各种应用，如组串式逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车充电应用以及如工业UPS和焊接等传统应用。
宏微科技推出1700V IGBT产品，广泛应用于高压变频、SVG、储能等领域
针对以上两种应用，宏微科技推出75A-450A不同电流等级的半桥模块和75A-150A的H桥一体化模块。通过每相采用单个或两个及以上半桥模块并联，基本可以覆盖3kV-10kV高压变频器的中小功率范围和一部分大功率范围、3kV-35kV级联储能系统的中等容量范围、3kV-35kV SVG的中等容量范围。同时针对小功率段的高压变频器，使用H桥一体化模块，可以减少模块使用数量，大幅削减链节体积，降低结构成本。
英飞凌推出全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块
为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司推出了4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2000 V至3300 V交流电压的中压变频器（MVD）与交通运输应用的格局。这款新半导体器件将给诸多应用带来裨益，包括大型传送带、泵、高速列车、机车以及商用、工程和农用车辆（CAV）。
英飞凌推出全新4.5kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5kV XHP™ 3 IGBT模块，用于改变目前采用两电平和三电平拓扑结构、使用2000V至3300V交流电压的中压变频器（MVD）与交通运输的应用市场。这款新半导体器件将给诸多应用带来裨益，包括大型传送带、泵、高速列车、机车以及商用、工程和农用车辆（CAV）。
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关
宏微科技推出分别针对汽车800V平台和增程式混动的两款IGBT模块
宏微科技本次推出适合汽车800V平台电驱控制器的产品 MMG600V120X6RS，以及针对1.5L增程器70KW GCU的产品 MMG280VD075X6T7，采用宏微GV与GVD封装，均拥有更低的通态损耗，在客户应用工况下有着极高的效率。
PI 推出适用于1.2kV至2.3kV“新型双通道” IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations 今日宣布推出SCALE-iFlex™ XLT系列双通道即插即用型门极驱动器，适配单个LV100（三菱）、XHPTM 2（英飞凌）、HPnC（富士电机）以及耐压高达2300V的同等半导体功率模块，该模块适用于储能系统以及风电和光伏可再生能源应用。该款超紧凑单板驱动器可对逆变器模块进行主动温升管理，从而提高系统利用率，并简化物料清单(BOM)以提高逆变器系统的可靠性。
英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。
ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
东芝推出适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。
英飞凌全新一代氮化镓产品重磅发布，电压覆盖700V！
目前，英飞凌全新一代的氮化镓产品CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列震撼来袭！采用英飞凌自主研发的高性能200mm晶圆工艺制造，将氮化镓的应用范围扩大到40V至700V！快一起来看看吧！
三菱电机开始提供S1系列HVIGBT模块样品
三菱电机集团宣布，于12月26日开始提供两款新的S1系列高压绝缘栅双极型晶体管（HVIGBT）模块样品，这两款模块额定电压均为1.7kV，适用于铁路车辆和直流输电等大型工业设备。得益于三菱电机专有的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）芯片和绝缘结构，新模块实现了出色的可靠性、低功率损耗和低热阻，有望提高大型工业设备中逆变器的可靠性和效率。
【新品】三菱电机开始提供XB系列HVIGBT模块样品
三菱电机集团近日（2025年4月8日）宣布，将于5月1日开始供应其新型XB系列高压绝缘栅双极型晶体管（HVIGBT）模块的样品。该模块是一款3.3kV/1500A的大容量功率半导体，专为轨道交通车辆等大型工业设备设计。通过采用专有的二极管和IGBT元件，以及独特的芯片终端结构，该模块的抗湿性得到显著提升，有助于提高在多样化环境中运行的大型工业设备逆变器的效率和可靠性。三菱电机将在PCIM Expo&Conference 2025（5月6-8日，德国纽伦堡）展出这款XB系列HVIGBT模块。
