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英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列

发布时间:2024-07-10 责任编辑:lina

【导读】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到40 V至700 V电压,进一步推动数字化和低碳化进程。


英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到40 V至700 V电压,进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫,这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能,确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测,未来五年GaN器件市场的年复合增长率(CAGR)将达到46%。


英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列

CoolGaN™ G3系列晶体管和CoolGaN™ G5系列晶体管


英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White表示:“这两个系列的发布是建立在英飞凌去年收购GaN Systems的基础之上,它们将为我们的客户带来更高的效率和性能。英飞凌新一代高压和中压CoolGaNTM系列展示了我们的产品优势,并且完全采用8英寸工艺制造,证明了GaN在更大晶圆直径上的快速扩展能力。我们期待客户通过这些新一代GaN器件推出各种创新应用。”


全新650 V G5系列适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用。该系列产品是英飞凌基于GIT的新一代高压产品。另一个采用8英寸工艺制造的全新系列是G3中压器件,覆盖了60 V、80 V、100 V和120 V的CoolGaNTM晶体管电压等级,以及40 V双向开关(BDS)器件。G3中压产品主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。


供货情况


CoolGaNTM 650 V G5将于2024年第四季度上市,CoolGaNTM G3中压产品将于2024年第三季度上市。样品现已开始供应。


关于英飞凌


英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工,在2023财年(截至9月30日)的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。


英飞凌中国


英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术应用支持、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。


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