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IGBT模块
Fairchild推出采用先进第三代场截止IGBT技术的分立式IGBT
今日，Fairchild推出既适用于混合动力电动汽车(HEV)、充电式混合动力电动汽车(PHEV)和电动汽车(EV)应用的新型分立式IGBT和二极管和裸片，从而扩展了其不断增加的汽车级半导体解决方案产品组合。
Littelfuse半桥IGBT模块MG12600WB-BR2MM提供灵活高效的电源转换
日前，Littelfuse推出IGBT模块功率半导体产品组合的最新产品系列——MG12600WB-BR2MM。相比该产品组合之前产品的最高额定电流（450A），新型半桥IGBT模块系列（1200V，600A）可为设计师提供显著更高的额定电流，能够依托现代IGBT技术可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。
英飞凌全新62mm封装IGBT模块实现更高功率密度
英飞凌进一步壮大其62 mm 封装IGBT模块阵容。新推出的功率模块可满足提高功率密度而不增加封装尺寸这一与日俱增的需求，这应归功于将更大面积的芯片和经改良的DCB衬底应用于成熟的62 mm封装而得以实现。
安森美全系列IGBT满足汽车、电源、白家电等各类应用需求
安森美半导体是领先的功率器件半导体供应商，提供全面的功率器件，包括MOSFET、IGBT、二极管、宽带隙(WBG)等分立器件及智能功率模块(IPM)等功率模块，尤其在收购Fairchild半导体后，是全球第二大功率分立器件半导体供应商，在IGBT领域有着不可比拟的优势，提供同类最佳的IGBT技术和最宽广的IGBT产品阵容。
高隔离双路稳压输出 IGBT驱动器专用—QAU242D2G系列
随着IGBT行业应用的不断完善，为了更好地适应其发展，金升阳在此领域持续提升技术能力。近期推出高隔离双路稳压输出 IGBT专用驱动器电源—QAU242D2G 系列（受自主专利保护,专利号201520892458.2）。
东芝的IGBT／IEGT紧凑模型实现了对能效和电磁干扰噪声的高精度预测
东京—东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）开发了一个紧凑的模型，可用于高精度模拟和预测绝缘栅双极晶体管（IGBT）和注入增强栅极晶体管（IEGT）中的功率损失和电磁干扰（EMI）所产生的噪声。该模型能较准确地再现电流接近时所测得的开关波形，当将仿真时间缩短到1/30以下时，可使错误率降低95%以上。[1]
东芝面向电压谐振电路推出新款分立IGBT，有助于降低功耗并简化设备设计
中国上海，2019年12月23日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“GT20N135SRA”，这是一款用于桌面电磁炉、电饭煲、微波炉等家用电器电压谐振电路的1350V分立IGBT。该产品于今日起开始出货。
TRENCHSTOP IGBT7采用EconoDUAL 3封装带来出色的900 A额定电流
【2020年1月6日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）于去年3月份推出基于知名Easy封装的全新IGBT7芯片。现在先进的TRENCHSTOP™ IGBT7将进一步登上中功率“竞技舞台”：与标准工业封装EconoDUAL™ 3相结合。通过采用这种最新芯片技术，这款1200 V模块可提供业内领先的900 A额定电流，相比上一代技术，同样规格产品的逆变器输出电流值可提高30％。该模块在芯片和封装方面的特定改进针对工业驱动应用，同时，它对于商用、工程和农用车辆（
PI推出适合额定电压750V IGBT的全新SID1181KQ器件
Power Integrations推出适合额定电压750V IGBT的全新SID1181KQ器件，扩展了SCALE-iDriver汽车级驱动器IC的范围。
青铜剑推出适配400A/500A/3300V IGBT模块的即插即用驱动器
2QP0215V33-TX 是一款紧凑型的即插即用 IGBT 驱动器。该驱动器装备了青铜剑自主研发的芯片组，专门针对 400A/3300V 或 500A/3300V 的 IHV 封装的 IGBT 模块设计。
扬杰科技推出新款IGBT PIM模块产品，应用于电动驱动器和不间断电源等
扬杰科技推出IGBT PIM模块产品，分别有P2、P3两款封装外形，1200V，电流10A~35A，芯片参数稳定，一致性优异，产品采用环保材料，符合RoHS标准，主要应用于电动驱动器、交直流伺服驱动放大器和不间断电源。
ROHM开发出针对150V GaN HEMT的8V栅极耐压技术
ROHM面向以工业设备和通信设备为首的各种电源电路，开发出针对150V耐压GaN HEMT*1（以下称“GaN器件”）的、高达8V的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2技术。
东芝推出一款分立式 IGBT——GT30N135SRA，用于降低家用电器功耗
东芝推出了一款额定值为 1350 V/30 A 的分立式 IGBT“GT30N135SRA”，适用于使用电压谐振电路的家用电器，例如 IH 烹饪加热器、IH 电饭煲和微波炉AC200 V输入，扩充产品阵容。
英飞凌采用具有新额定电流的IGBT7以增强1200 V EconoDUAL™ 3产品组合
英飞凌科技股份公司为其采用TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的EconoDUAL™ 3产品组合推出新的额定电流。借助从300A到900A的广泛电流等级，该产品组合为逆变器设计者提供了高度的灵活性，同时也提供了更高的功率密度和性能。
三菱电机开始提供2kV工业LV100封装T系列IGBT模块样品
近年来，能够高效转换电力的功率半导体作为促进实现低碳社会的关键器件而受到瞩目，对其需求也一直在增加并呈现多样化。尤其对于由可再生能源驱动的电力系统来说，由于需要更高的电能转换效率，系统工作电压不断提高。事实上，在系统中使用电力变换器额定电压达到DC1500V，这已经是欧洲低电压指令*1的上限电压。
比亚迪半导体推出集成PFC的IGBT模块
随着变频电器的不断推广普及，电流谐波对电网的污染问题也愈发被重视，全球范围内行业对电流谐波的控制提出了更高要求。主动式PFC电路使用功率开关器件和控制器，这对功率因数校正有着优异效果，因此被广泛应用到变频电器中。
意法半导体新碳化硅功率模块提升电动汽车的性能和续航里程
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)发布了可提高电动汽车性能和续航里程的大功率模块。意法半导体的新碳化硅 (SiC)功率模块已用在现代汽车公司的 E-GMP电动汽车平台，以及共享该平台的起亚 EV6 等多款车型。
Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)与伟诠电子 (Weltrend Semiconductor Inc.，TWSE: 2436)今天宣布双方合作推出首款系统级封装(SiP)的氮化镓电源控制芯片。
