【导读】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5kV XHP™ 3 IGBT模块，用于改变目前采用两电平和三电平拓扑结构、使用2000V至3300V交流电压的中压变频器（MVD）与交通运输的应用市场。这款新半导体器件将给诸多应用带来裨益，包括大型传送带、泵、高速列车、机车以及商用、工程和农用车辆（CAV）。
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5kV XHP™ 3 IGBT模块，用于改变目前采用两电平和三电平拓扑结构、使用2000V至3300V交流电压的中压变频器（MVD）与交通运输的应用市场。这款新半导体器件将给诸多应用带来裨益，包括大型传送带、泵、高速列车、机车以及商用、工程和农用车辆（CAV）。
XHP™系列包括一款带有一个发射极控制续流二极管和TRENCHSTOP™ IGBT4 450A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4kV。这对组合有助于在不降低效率的情况下简化并联并且缩小尺寸。以前，并联模块需要复杂的母线，令设计工作变得复杂且会增加电感。XHP™系列采用了创新的设计，通过将模块并排放置简化了并联设计，这也使得模块在并联时只需要一个直流母线即可实现。
4.5kV XHP™系列还使得开发人员在设计过程中能够减少元器件的使用数量。传统的IGBT解决三电平方案需要多个单IGBT开关和一个半桥二极管，而使用新器件的设计只需要两个半桥开关和一个更小的半桥二极管，这对驱动的集成化是一个重大的进步。
FF450R45T3E4_B5双开关与DD450S45T3E4_B5双二极管的组合可显著节省成本并缩小占板面积。例如，英飞凌过去的IGBT解决方案需要四个140x190mm²或140x130mm² IGBT模块以及一个140x130mm²双二极管模块。而全新的XHP系列产品能够将所需的模块数量减少至两个140x100mm²IGBT双开关和一个更小的140x100mm²双二极管模块。
供货情况
两种型号的IGBT模块FF450R45T3E4_B5和DD450S45T3E4_B5现已上市。
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