IGBT模块产品导购分类—电子元件技术网采购中心

飞兆半导体推出更快速的开关性能和可靠性的1200 V 沟槽型场截止IGBT

这种新型1200 V场截止IGBT系列具有1.8 V的VCE(SAT)，其远低于以前的快速开关NPT IGBT，可最大程度地降低导通损耗。这些新器件具有1200V快速开关IGBT市场中提供的最低VCE(SAT) 额定值之一。开关损耗较低， EOFF 值在30 µJ/A以下。所有器件均包含为快速开关优化的相同封装的二极管。

Vishay发布高压应用的宽体IGBT/MOSFET驱动

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于电机驱动、新能源、焊接设备和其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压，非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。

Littelfuse推出新型IGBT和整流器二极管模块适用于电机控制器和逆变器应用

Littelfuse公司——电路保护领域的全球领导企业，为其电源控制半导体系列新添两款产品。新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和最高1200V、600A的额定值，能够可靠、灵活地提供依托现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度。此类产品设计用于多种电源控制应用，包括交流电机控制器、运动/伺服控制器、逆变器、电源以及太阳能逆变器。

IR推出适用于低功率电机驱动应用的全新μIPM-DIP功率模块

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司推出高度集成的、纤巧的集成式功率模块(Integrated Power Module) μIPM-DIP系列，适用于低功率电机驱动应用，包括风扇、泵、空气净化器和冰箱压缩机驱动器等。

IR推出第二代智能功率模块系列IRAM SIP1A Gen2 模块

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出第二代 (Gen2) IRAM系统级封装 (System-In-Package，简称SIP) 节能智能功率模块 (Intelligent Power Module) 系列，可有效缩小和简化家电的电机驱动应用设计，包括空调、风扇、压缩机和洗衣机等。

IR扩充坚固可靠的600V节能沟道IGBT系列

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，并提供多种封装选择。坚固可靠的全新IRxx46xx 器件系列为完整的功率应用范围作出优化，从小型马达和低负载产品到工业应用均涵盖其中，如不间断电源 (UPS) 、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接等应用。

IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充StrongIRFET系列，为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件，具有极低的导通电阻 (RDS(on))。

IR推出坚固可靠的超高速1400V IGBT 为感应加热和软开关应用作出优化

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司，宣布推出坚固可靠的超高速1400V沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IRG7PK35UD1PbF，新器件为电磁炉和微波炉等软开关应用作出了优化。

英飞凌扩展其逆导软开关IGBT产品组合新增650V RC-H5器件

英飞凌科技股份公司全新推出一款单片集成逆导二极管的650V器件，再次扩展其最新一代逆导软开关IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品线。英飞凌的RC-H5 系列产品性能卓越，而新推出的这款器件更将显著扩大RC-H5系列产品的应用范围。全新的分立式RC-H5 650V电源半导体是多炉盘电磁炉和带逆变器微波炉的绝佳之选，也是各类硬开关半桥配置拓扑结构的最佳选择。