【导读】据半导体行业消息，三星电子正加速推进第6代10nm级DRAM（1c DRAM）产能布局，继平泽P4工厂启动每月3万片产能试产线后，计划2025年底前在华城工厂追加投资，将1c DRAM月产能提升至7万片规模。这一扩产计划标志着三星在HBM4高带宽存储器领域发起关键攻坚。
据半导体行业消息，三星电子正加速推进第6代10nm级DRAM（1c DRAM）产能布局，继平泽P4工厂启动每月3万片产能试产线后，计划2025年底前在华城工厂追加投资，将1c DRAM月产能提升至7万片规模。这一扩产计划标志着三星在HBM4高带宽存储器领域发起关键攻坚。
业内人士指出，三星此次技术路线选择颇具战略深意。当前主流HBM4厂商多采用1b DRAM（第五代10nm级）作为基础架构，而三星选择直接跨越至1c DRAM，旨在通过更先进的制程工艺实现能效比突破。测试数据显示，1c DRAM在相同功耗下可提供20%以上的带宽提升，这对AI服务器等高负载场景意义重大。
产能布局呈现"双核驱动"特征：平泽P4工厂作为主力基地，将承担技术验证与初期量产任务；华城工厂则通过改造现有17号线（原生产1z DRAM），实现快速产能转换。值得注意的是，三星同步推进15/16号生产线升级，将传统DRAM产能向1b DRAM转移，形成"新旧产能梯次配置"的竞争策略。
市场分析机构TechInsights认为，三星此举折射出存储行业技术竞赛新态势。随着HBM4标准争夺进入白热化，制程工艺正成为决定话语权的关键变量。SK海力士虽占据HBM3市场七成份额，但其HBM4产品仍基于1b DRAM架构，这为三星提供了弯道超车契机。
不过三星也面临产能爬坡挑战。行业专家警告，1c DRAM量产良率较1b DRAM低约15个百分点，若要实现规模化供应，需在2026年前将良率提升至70%以上。与此同时，美光科技已宣布2026年量产1γ DRAM（第七代10nm级）的计划，存储芯片代际更迭速度持续加快。
在这场存储技术军备竞赛中，三星正以"制程跃迁+产能碾压"的双轮战略抢占先机。随着华城平泽双基地进入设备导入阶段，2026年HBM4市场格局或将迎来重大变局。
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