【导读】AI浪潮推动存储芯片需求爆发性增长，尽管三星与SK海力士积极扩产，但HBM供需缺口预计将在2027年突破40%，传统存储市场同样面临长期结构性缺货。
AI浪潮推动存储芯片需求爆发性增长，尽管三星与SK海力士积极扩产，但HBM供需缺口预计将在2027年突破40%，传统存储市场同样面临长期结构性缺货。
HBM供需缺口持续扩大
全球AI产业投资热潮引发的存储芯片短缺问题正在加剧，预计未来三年内难以缓解。
●短缺率逐年攀升：根据行业测算，2025年全球HBM（高带宽内存）供给短缺率预计达30%，2026年将扩大至35%，2027年可能突破40%。
●产能增长追不上需求：尽管三星与SK海力士的合计月产能预计在2027年提升至410万-420万片（12英寸晶圆），两年间增幅超30%，但仍无法满足市场需求。
巨头加速扩产，但重心倾斜
为应对短缺，两大存储巨头正加速扩建新厂，但将资源集中于高附加值产品。
●三星电子：
重启平泽四厂（P4） 施工，定位高端存储芯片生产基地，预计2026年正式投产HBM4。
已提前储备P5与P6建设用地，未来三年在存储领域投资规模将超500亿美元。
●SK海力士：
清州M15X工厂已提前两个月进入设备安装阶段，预计2026年投产，初期月产能5万片晶圆，满产后将成为全球最大的HBM单一生产基地。
正在龙仁市打造半导体产业集群，计划2027年投入运营。
AI驱动全面存储紧缺
当前存储市场的短缺具有全局性、结构性特征，并非个别品类或暂时现象。
●HBM产能告急：三星2025年HBM产能已全部售罄，SK海力士的HBM产品订单能见度也已达2026年第一季度。
●传统存储同样紧张：
由于产能向HBM和DDR5倾斜，DDR4等传统存储产品供应受到显著挤压，部分客户开始寻求签订长达6年的长期合约以锁定供应。
服务器用DDR5内存的订单交货率仅约70%，供应链进入“不同价格，有货就收”的阶段。
价格飙升与市场影响
存储芯片的全面紧缺已引发价格剧烈波动，并影响到下游产业。
●价格涨幅惊人：2025年第三季度DRAM合约价同比暴涨170%，部分内存条现货价格甚至在一个月内翻倍。
●终端产品策略调整：在非洲、东南亚等价格敏感市场，由于存储成本逼近手机主处理器，部分智能手机机型已重新推出64GB的入门级配置。
未来展望：短缺或将长期化
行业专家普遍认为，本轮存储芯片短缺是结构性缺货，而非周期性波动，预计将持续至2027年。
●技术迭代加剧分化：一旦晶圆厂制程推进至生产DDR5，就无法退回生产DDR4或DDR3，导致旧代际产品供应永久性减少。
●AI需求具备实质性：慧荣科技总经理苟嘉章指出，AI推理算力的快速增长是核心驱动力，其背后的需求高度实质性，短期内不会形成泡沫。
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