【导读】近期，存储芯片市场迎来结构性转折。根据TrendForce集邦咨询最新研究报告，随着服务器需求强劲复苏及AI算力基础设施持续扩张，DDR5内存正步入持续涨价通道，预计2026年第一季度起其盈利能力将首次超越HBM3E。这一趋势正在重塑三星、SK海力士等存储原厂的产能分配与长期战略。
近期，存储芯片市场迎来结构性转折。根据TrendForce集邦咨询最新研究报告，随着服务器需求强劲复苏及AI算力基础设施持续扩张，DDR5内存正步入持续涨价通道，预计2026年第一季度起其盈利能力将首次超越HBM3E。这一趋势正在重塑三星、SK海力士等存储原厂的产能分配与长期战略。
01 市场转折点：DDR5与HBM3E盈利能力逆转
曾经凭借高溢价成为存储厂商利润核心的HBM3E，其盈利优势预计将在2026年被DDR5反超。
价格走势变化是这一逆转的直接推手。2025年第四季度，服务器DRAM合约价涨幅从最初预测的8%-13%大幅上修至18%-23%。
由于全球云端服务供应商积极扩充数据中心规模，这一涨幅很可能继续扩大。
相比之下，随着三大原厂在HBM3e领域的竞争格局形成，且买方维持一定库存水位，预计2026年HBM3e合约价将转为同比下降。
02 价差收敛：从四倍到近乎追平
HBM3e与DDR5之间的巨大价差正快速收敛。TrendForce数据显示，2025年第二季时，HBM3e价格高达DDR5的四倍以上。
随着DDR5价格持续走扬，两者价差将在2026年明显收敛。这一关键变化使得DDR5的获利表现将从2026年第一季起优于HBM3e。
产能竞争是导致这一局面的核心因素。HBM3e和DDR5共享部分晶圆厂产能与先进制程设备。在两者需求均保持高位的背景下，供应商面临着产能分配的抉择。
03 需求驱动：AI服务器引领存储市场扩容
AI算力基础设施的爆发性增长是推动DDR5需求的核心动力。
据TrendForce预估，2026年服务器整机出货量年增幅度将扩大至4% 左右。更重要的是，各云端服务提供商积极导入高效能运算架构以支援大型模型运算，推动服务器单机DRAM搭载容量显著提高。
天风证券分析指出，单台AI服务器所需DRAM容量达到普通服务器的8倍，这种结构性需求变化大幅推升了整体DRAM位元需求。
04 巨头应对：三星与SK海力士的战略调整
面对市场格局变化，两大存储巨头正采取不同的应对策略。
三星电子作为业界产能龙头，计划根据市场趋势动态调整DRAM与HBM的生产比重。
该公司已向NVIDIA等核心客户供应HBM3e，并计划于2025年第四季度启动HBM4初期量产。
SK海力士则在HBM3e市场占据主导地位，并已率先搭建HBM4量产体系。
该公司强调，新一代HBM4的带宽将比HBM3e提高2倍，电力效率最多提升40%。
05 市场展望：存储超级周期下的产业重构
存储行业正迎来一轮罕见的 “超级周期” 。与以往周期性涨价不同，本轮周期呈现 “需求激增+供给收缩”的双重结构性特征。
2025年第三季度DRAM合约价同比飙升逾170%，部分内存条现货价格一个月内翻倍。这种涨势有望延续至2026年，尤其上半年DDR5合约价上涨将较为显著。
未来原厂在DDR5与HBM之间的产能配置与价格策略，将成为影响下阶段市场走向的关键变量。
DDR5与HBM3e的盈利拐点标志着存储芯片市场进入新阶段——AI训练需要HBM，但AI推理与通用计算更需要大容量DDR5。
随着2026年服务器单机内存配置向256GB以上迈进，两家存储巨头将在“短期获利”与“长期成长”间寻求平衡，通过灵活的产能分配同时抓住DDR5的即时收益与HBM的未来潜力。
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