【导读】在端侧AI设备需求爆发前夕，SK海力士于2025年5月22日正式发布全球首款搭载321层1Tb TLC 4D NAND闪存的UFS 4.1存储解决方案，以三维堆叠技术突破重新定义移动存储性能边界。
在端侧AI设备需求爆发前夕，SK海力士于2025年5月22日正式发布全球首款搭载321层1Tb TLC 4D NAND闪存的UFS 4.1存储解决方案，以三维堆叠技术突破重新定义移动存储性能边界。
这款专为AI工作负载优化的旗舰产品，通过架构创新实现三大维度跃升：能效方面，较前代238层NAND方案提升7%（数据来源：SK海力士实验室测试），单位功耗性能比达12.7MB/s/mW，较行业均值高出18%；厚度控制取得突破性进展，封装高度从1mm压缩至0.85mm，完美适配折叠屏手机等超薄设备；传输速率方面，顺序读取峰值达4300MB/s，较UFS 3.1标准提升2.3倍。
随机读写性能的突破更具战略意义。实测数据显示，在混合AI工作负载场景下，随机读取速度提升至980K IOPS，写入速度达1.2M IOPS，分别较上代产品提升15%与40%（数据来源：AnandTech评测）。这种性能跃升直接转化为应用体验提升：某头部手机厂商实验室数据显示，搭载该方案的原型机在Stable Diffusion模型推理中，首token生成时间缩短至0.32秒，较竞品方案快27%。
市场布局呈现双线并进态势。消费级领域，512GB/1TB容量版本已进入客户验证阶段，预计2026年Q1实现量产，届时将覆盖全球前十大手机品牌中的八家；数据中心级SSD产品开发同步推进，计划2026年Q4推出基于321层NAND的PCIe 5.0企业级SSD，其4K随机读写性能预计突破2.5M IOPS，瞄准AI训练加速场景。
行业观察人士指出，SK海力士此举标志着存储产业正式进入"千层时代"。据TechInsights预测，2026年3D NAND堆叠层数将突破500层，而321层技术的商业化落地，将为后续技术演进奠定关键基础。在端侧AI设备存储需求年均增长35%的背景下（数据来源：IDC），这款产品有望成为撬动万亿级市场的战略支点。
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