【导读】在半导体产业周期性波动与地缘政治因素交织影响下，2025年第二季度存储器市场呈现超预期反弹态势。据TrendForce集邦咨询最新数据显示，当季NAND Flash合约均价环比上涨18.7%，DRAM产品涨幅更达21.3%，双双突破机构此前15%的预测值，标志着市场正式进入上行周期。
在半导体产业周期性波动与地缘政治因素交织影响下，2025年第二季度存储器市场呈现超预期反弹态势。据TrendForce集邦咨询最新数据显示，当季NAND Flash合约均价环比上涨18.7%，DRAM产品涨幅更达21.3%，双双突破机构此前15%的预测值，标志着市场正式进入上行周期。
本轮价格异动源于供需两端协同作用。供给层面，三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据五大 NAND Flash 原厂自2025年初启动协同减产策略，整体产能利用率较2024年四季度下降12个百分点至78%（数据来源：TechInsights产能追踪报告）。其中三星平泽P4工厂减产幅度达15%，美光新加坡厂设备利用率更降至65%历史低位，有效缓解市场过剩压力。
需求侧则呈现政策驱动型特征。美中贸易代表办公室公布的新一轮关税清单，设置90天政策过渡期，促使中国终端厂商加速进口存储芯片。据中国海关总署数据，2025年4-5月NAND Flash进口量同比激增42%，形成阶段性备货高峰。某头部模组厂透露，其Q2订单量较常规水平增长3.1倍，创2021年以来单季新高。
技术迭代加速亦推高价格支撑力。在AI服务器需求拉动下，128层以上3D NAND出货占比突破65%（数据来源：Yole Développement），单颗Die容量从512Gb向1Tb升级，带动平均售价（ASP）结构性上扬。以企业级SSD为例，PCIe 5.0产品较上一代溢价达28%，成为涨价主力军。
市场观察人士指出，当前涨价潮具有三大特征：其一，现货价与合约价倒挂幅度收窄至5%以内，显示价格传导机制修复；其二，渠道库存水位降至1.9周，创2022年以来最低；其三，原厂议价能力显著回升，部分交易出现预付货款要求。这种态势若持续，或将推动存储市场在2025年下半年进入量价齐升通道。
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