【导读】在半导体产业周期性波动与地缘政治因素交织影响下，2025年第二季度存储器市场呈现超预期反弹态势。据TrendForce集邦咨询最新数据显示，当季NAND Flash合约均价环比上涨18.7%，DRAM产品涨幅更达21.3%，双双突破机构此前15%的预测值，标志着市场正式进入上行周期。
在半导体产业周期性调整与地缘政治因素交织影响下，2025年存储器市场正酝酿结构性变化。摩根士丹利最新研报指出，历经三个季度的谨慎观察后，NOR Flash供应链迎来价格反转契机，第三季度合约价有望启动上涨行情，标志着该细分市场正式进入上行周期。
推动这轮涨势的核心动力源自供需格局优化。技术迭代方面，3D NOR Flash渗透率突破45%（数据来源：Yole Développement），单颗芯片容量从1Gb向2Gb升级带动平均售价（ASP）结构性上扬。某头部模组厂透露，其Q3订单能见度已达85%，较常规水平提升30个百分点，显示下游备货意愿强烈。
与此同时，DRAM市场呈现更强劲的复苏信号。4月数据显示，DDR4 8Gb/4Gb颗粒现货价分别上涨10%，创2024年11月以来最大单月涨幅（数据来源：DRAMeXchange）。这种异动背后是多重因素共振：三星、SK海力士等巨头计划年内削减20% DDR4产能；美中贸易谈判不确定性催生提前采购潮，某中国服务器厂商Q2进口量环比激增65%；AIoT设备需求回暖，带动利基型内存需求。
值得关注的是，本轮涨价潮具有鲜明特征：其一，NOR Flash与DRAM形成双轮驱动，改变此前单一品类波动格局；其二，关税政策成为重要变量，90天缓冲期内出现的抢运潮，使得华南地区渠道库存水位降至3周以下；其三，价格传导机制改善，DDR4合约价与现货价倒挂幅度收窄至3%，显示市场定价体系修复。
市场观察人士指出，当前存储器涨价具有坚实支撑。NOR Flash方面，汽车电子、工业控制领域需求年增率保持12%以上；DRAM领域，HBM基材需求推动DDR4向DDR5过渡，但利基市场仍存在2-3年过渡期。这种技术迭代节奏差异，为相关厂商创造了结构性机遇。
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