【导读】据TrendForce（集邦咨询）最新数据显示，2024年全球N型碳化硅（SiC）衬底市场规模出现罕见下滑，产业营收同比下降9%至10.4亿美元。这一波动主要受新能源汽车增速放缓及工业设备需求疲软影响，但行业长期增长逻辑并未改变——随着8英寸衬底技术突破与成本优化，SiC材料在工业电源、光伏逆变器等领域的应用渗透率有望持续提升。
据TrendForce（集邦咨询）最新数据显示，2024年全球N型碳化硅（SiC）衬底市场规模出现罕见下滑，产业营收同比下降9%至10.4亿美元。这一波动主要受新能源汽车增速放缓及工业设备需求疲软影响，但行业长期增长逻辑并未改变——随着8英寸衬底技术突破与成本优化，SiC材料在工业电源、光伏逆变器等领域的应用渗透率有望持续提升。
市场格局生变：中国厂商强势突围
在厂商竞争层面，美国企业Wolfspeed凭借技术积累与产能优势，以33.7%的市占率稳居全球第一，但其领先幅度较往年有所收窄。值得注意的是，中国厂商天科合达（TanKeBlue）与天岳先进（SICC）分别以17.3%和17.1%的市场份额位列第二、第三，形成“一超双强”的新格局。其中，天科合达深耕本土功率电子市场，其6英寸衬底产品已实现规模化供应；天岳先进则率先在8英寸晶圆领域建立技术壁垒，成为推动大尺寸衬底商业化进程的关键力量。
技术路线博弈：6英寸主导，8英寸蓄势待发
当前，6英寸SiC衬底仍占据市场主流地位，其价格竞争力与工艺成熟度是主要支撑。然而，8英寸衬底被视为行业降本增效的核心路径。据TrendForce分析，8英寸衬底的单片成本可较6英寸产品降低约35%，但受限于外延良率与设备投资门槛，其市场渗透率尚不足5%。不过，随着Wolfspeed、天岳先进等头部企业加速扩产，预计到2030年，8英寸衬底出货占比将突破20%，成为驱动产业规模扩张的新引擎。
2025年展望：需求回暖与技术迭代并行
进入2025年，SiC衬底市场呈现结构性复苏迹象。一方面，新能源汽车800V高压平台加速落地，带动碳化硅功率器件需求反弹；另一方面，光伏储能领域对高效能、高可靠性半导体材料的需求激增，为SiC衬底开辟新增长极。与此同时，中国厂商正通过垂直整合产业链、突破晶体生长缺陷控制等关键技术，逐步缩小与国际巨头的差距。可以预见，未来五年，SiC衬底市场的竞争将围绕“技术降本”与“应用场景拓展”两大主线展开，而中国企业的表现值得持续关注。
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