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关税避险+AI需求,全球DRAM价格触底反弹背后的双重推手

发布时间:2025-05-13 责任编辑:lina

【导读】全球DRAM市场正上演戏剧性反转。继三星电子本月与客户签订涨价协议后,SK海力士迅速跟进,宣布将全线DRAM产品价格上调12%。作为占据全球70%市场份额的两大巨头,其定价策略犹如行业风向标,引发内存产业链连锁反应。


全球DRAM市场正上演戏剧性反转。继三星电子本月与客户签订涨价协议后,SK海力士迅速跟进,宣布将全线DRAM产品价格上调12%。作为占据全球70%市场份额的两大巨头,其定价策略犹如行业风向标,引发内存产业链连锁反应。


关税避险+AI需求,全球DRAM价格触底反弹背后的双重推手


涨价背后的供需博弈


此轮涨价并非偶然。据产业链调研,三大因素构成核心推力:

1. 头部厂商主动控产:自2024年起,三星、SK海力士相继关闭10%以上老旧产能,DDR4库存水位从峰值14周降至8周健康水平;

2. 关税避险抢购潮:受美国对华加征关税政策预期影响,PC厂商Q2订单量环比激增40%,部分服务器客户甚至接受30%溢价锁单;

3. AI需求外溢效应:英伟达GB300芯片组放量,带动HBM3e周边DDR5配套需求增长15%,形成结构性缺货。


价格异动:DDR4成主力战场


价格走势呈现明显代际分化:

●DDR4领域:PC通用型8Gb模组合约价突破2.3美元,较3月低点反弹55%,工控、汽车等利基市场涨幅更达70%;

●DDR5领域:尽管服务器市场仍在去库存,但AI服务器需求拉动128GB RDIMM价格止跌,环比微涨2%。


值得关注的是,DDR4此轮涨幅已超2019年行业复苏初期水平,凸显中低端市场供需失衡程度。


行业格局生变:从价格战到价值战


存储双雄的涨价底气,源于其对产业链的深度掌控。三星电子在财报会议上披露,其12nm DDR5良率已突破85%,较竞争对手领先6个月以上。SK海力士则通过HBM3e与DDR5的产能捆绑策略,迫使客户接受配套采购条件。

这种策略转变正在重塑行业生态:美光科技宣布跟进涨价8%,而南亚科、华邦电等二线厂商则因技术代差陷入被动,仅能选择性跟进利基市场。


未来展望:涨价周期持续性存疑


尽管当前市场情绪高涨,但行业复苏根基仍需夯实。关键变量包括:

●关税政策落地时间:若延期执行,当前抢购需求可能快速退潮;

●AI服务器放量节奏:需观察2025年H2,AMD MI400与英伟达GB300的实装进度;

●国产替进展:长鑫存储DDR4月产能突破15万片,其价格策略或成市场X因素。


结语:周期律与科技革命的交织


三星与SK海力士的涨价策略,既是供应链博弈的结果,也折射出AI革命对半导体产业的深度重塑。短期看,DRAM市场将维持高位震荡;长期而言,HBM技术迭代与国产化进程将共同定义新一轮竞争格局。存储行业向来遵循“三年周期律”,但此轮反弹的特殊性在于,其同时叠加了地缘政治、技术迭代与库存周期三重变量。当价格信号穿透产业链,一场关于技术、产能与市场策略的博弈才刚刚开始。



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