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2021年第三季全球前十大IC设计业者营收达337亿美元
根据TrendForce集邦咨询表示,2021年第三季半导体市场热络, 全球前十大IC设计业者总计营收达337亿美元,年增45%。其中,除了联发科(MediaTek)、联咏(Novatek)、瑞昱(Realtek)原本就列居排行榜中,此次奇景(Himax)也抢进第十名。
2021-12-17
IC设计 营收
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三大电子代工厂:明年IC仍供不应求
据台媒报道,缺料问题持续干扰电子业,和硕、华硕及友达三大电子代工巨头直言缺料情况仍严重。和硕董事长童子贤与华硕共同执行长胡书宾异口同声表示,从整个电子业供应来看,预期明年半导体芯片供给虽会逐步改善,但仍无法完全纾解缺货。
2021-12-17
和硕 华硕 友达 IC
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NAND闪存价格趋稳 明年Q2有望回温
第三季度以来,年初“大放光彩”的存储行情一路走低。近日群联执行长潘健成关于“2022年第二季度NAND Flash可望回温”的消息,则为市场带来一些“暖意”。分析人士表示,未来数据中心、AI以及车用相关领域都会给NAND带来更多的需求。但值得注意的是,尽管存储市场需求巨大,但目前大陆厂商“话语权”仍弱。
2021-12-16
NAND 闪存 价格趋稳
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2021-26全球汽车线束市场年复合增4.1%
根据国际市场研究机构Markets and Markets日前发布的报告,2021年全球汽车线束市场需求预计达到470亿美元,到2026年,这一数据将增至574亿美元,期间年复合增长率约为4.1%。
2021-12-16
汽车线束 年复合增长率
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智能快充未来4年争鸣 预需600亿颗磁性元器件
近年来,在手机电池技术停滞不前的情况下,智能手机充电功率逐年提升,量产标配成势。在过去,智能手机充电功率延续多年仅为5W左右,直到2019年,手机充电功率已经提升到了65W;2020年,提升到了100W以上;2021年,部分机型甚至直接翻倍提升至200W。
2021-12-16
智能快充 磁性元器件
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手机续航2周!1nm芯片工艺技术曝光:性能提升200%,功耗降低85%
目前全球芯片核心技术已经来到了4nm工艺,根据最新消息称,三星和台积电将突破4nm来抢首发3nm工艺,而1nm将成为分水岭,需要突破全新半导体技术。而好消息是近期IBM和三星1nm技术有望突破,搭载此芯片的手机续航可达2周。
2021-12-16
手机续航 芯片
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三星将于2029年推出DDR6内存:带宽将超100GB/s
今年11月份,随着Intel的12代酷睿处理器发布上市,DDR5内存也闪亮登场,未来几年里就要接替DDR4了,不过三星也在准备下一代的DDR6内存了,频率有望再次翻倍,预计2029年问世。
2021-12-16
三星 DDR6
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SK海力士宣布提供24Gb DDR5样品,为业内最大容量
12月15日,SK海力士宣布提供业内DRAM单一芯片容量最大的24Gb DDR5样品。据悉,目前常用的DDR DRAM容量主要是8Gb和16Gb,最大容量为16Gb。24Gb DDR5产品采用了EUV工艺的第四代10纳米级(1a)技术,相较第二代10纳米级(1y)DDR5产品单一芯片容量从16Gb提升至24Gb,从而改善了生产效率,其速度提升高...
2021-12-16
SK海力士 DDR5
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市场供过于求 预估2022年首季NAND Flash跌价10~15%
根据研调机构TrendForce表示,随着主要智慧型手机品牌厂的旺季备货告终,加上ODM将迎接新年假期,2022年第一季将明显迎来淡季需求调整,市场将维持供过于求的现象,价格将持续修正。预估明年首季NAND Flash价格将下跌10~15%,且应为全年跌幅最明显的季度。
2021-12-15
供过于求 NAND Flash 跌价
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