【导读】随着人工智能浪潮席卷全球，高带宽内存（HBM）已成为AI芯片不可或缺的“动力燃料”。国内AI产业飞速发展，催生出对HBM的迫切需求。然而，受限于美方先进的半导体设备出口管制，关键生产设备的获取已成为中国实现HBM大规模自主制造的首要障碍。
随着人工智能浪潮席卷全球，高带宽内存（HBM）已成为AI芯片不可或缺的“动力燃料”。国内AI产业飞速发展，催生出对HBM的迫切需求。然而，受限于美方先进的半导体设备出口管制，关键生产设备的获取已成为中国实现HBM大规模自主制造的首要障碍。
中国半导体设备相关企业正在加速将原本用于DRAM制造的设备改造升级，开发适用于HBM的专用设备。
中国存储半导体行业正逐步摆脱以通用DRAM为中心的投资模式，专注扩充HBM专用的生产线和设备。
DRAM、NAND两大中国本土存储大厂也已投身于HBM的开发。
NAND原厂计划在今年量产HBM3，据评估其技术实力已足以向华为等国内AI芯片企业提供样品。
在HBM的核心技术方面，DRAM原厂已着手开发硅通孔（TSV）技术。该技术通过在芯片上钻出微孔，并利用电极连接上下层芯片实现堆叠，从而大幅提升存储容量和带宽。这一技术突破将为HBM的性能提升和国产化生产提供有力支撑。
推荐阅读：
