【导读】国际顶尖投行摩根士丹利发布最新研究报告，为全球存储芯片市场拉响警报。报告明确指出，传统存储芯片的供需缺口正在急剧扩大，市场预计将从2025年第二季度起，正式迈入一个可能延续至2026年的新一轮“超级周期”。目前，包括DDR4、DDR3、NOR Flash以及SLC/MLC NAND在内的多种成熟制程存储产品供应持续紧张，市场看涨情绪浓厚，“没有任何转向悲观的理由”。
国际顶尖投行摩根士丹利发布最新研究报告，为全球存储芯片市场拉响警报。报告明确指出，传统存储芯片的供需缺口正在急剧扩大，市场预计将从2025年第二季度起，正式迈入一个可能延续至2026年的新一轮“超级周期”。目前，包括DDR4、DDR3、NOR Flash以及SLC/MLC NAND在内的多种成熟制程存储产品供应持续紧张，市场看涨情绪浓厚，“没有任何转向悲观的理由”。
先进制程挤压，DDR4价格或飙升
先进制程存储产品如今风光无限，像DDR5或HBM这类产品，产能需求极为强劲，这就如同一个“大胃王”，不断吞噬着产能资源，使得成熟制程的产能分配受到严重挤压。时间来到2026年1月，第一梯队的企业买家对DDR4的采购态度变得积极起来，然而供应却成了“拦路虎”。由于供应受限，预计第一季度DDR4价格涨幅可能高达50%，而且这股涨势还将持续至第二季度，让不少相关企业又喜又忧。
至于在闪存芯片领域，报告指出，预计第一季度NOR Flash报价将上涨20%-30%，涨价趋势可能延续至2026年下半年。此外，常规NAND Flash因供应量大幅缩减，第一季度MLC与SLC NAND的价格涨幅预计将超过50%；高密度SLC NAND的价格涨势预计将在2026年第一季跟上。
部分成熟制程存储供应商正积极转型，共享高带宽内存（HBM）与先进封装技术的成长红利。例如，力积电的P5晶圆厂具备WoW（晶圆堆叠）与混合键合（Hybrid Bonding）的充足产能，在HBM4e标准下将发挥重要作用。爱普（AP Memory）则有望受益于主要美国客户对CoWoS-S技术的需求，其硅电容（IPD）业务预计在2026年展现强劲增长。
基于对2025年至2026年盈利增长及股东权益报酬率的预期，摩根士丹利上调了相关中国台湾存储厂商的目标股价。其中，华邦电子被列为首选标的，目标价从新台币88元上调至130元；力积电目标价从新台币41元上调至56元；旺宏从新台币48元上调至72.5元；南亚科从198元上调至298元；爱普从475元上调至555元。
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