【导读】韩国首尔传来重磅消息，全球半导体领域的领军企业SK海力士宣布，成功将业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV）引入韩国利川M16工厂，并举办了隆重的设备入厂庆祝仪式，这一举措标志着半导体制造技术迈向了新的高度。
9月3日，韩国首尔传来重磅消息，全球半导体领域的领军企业SK海力士宣布，成功将业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV）引入韩国利川M16工厂，并举办了隆重的设备入厂庆祝仪式，这一举措标志着半导体制造技术迈向了新的高度。
一、High NA EUV设备：技术革新，引领未来
高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV，High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography）堪称半导体制造领域的“超级利器”。它拥有比现有EUV更高的数值孔径（NA），数值孔径（NA，Numerical Aperture）是衡量透镜汇聚光线能力的关键数值，NA值越大，电路图案绘制的精密度就越高。High NA EUV能够绘制当前最微细的电路图案，在缩小线宽和提升集成度方面发挥着关键作用，是满足未来半导体市场超微细化和高集成度需求的必备技术。
此次SK海力士引进的设备，是荷兰ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，作为首款量产型High - NA EUV设备，它展现出了卓越的性能。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了40%，能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。这一技术飞跃，将为半导体制造带来质的提升。
二、仪式盛况：行业精英齐聚，共庆技术突破
在设备入厂庆祝仪式上，ASML韩国公司总经理金丙灿社长、SK海力士未来技术研究院长兼技术总管（CTO）车宣龙副社长、SK海力士制造技术担当李秉起副社长等领导共同出席，共同见证了这一具有里程碑意义的时刻。他们的到来，不仅体现了对这一技术突破的高度重视，也彰显了行业内各方对于推动半导体技术发展的坚定决心。
三、战略布局：提升竞争力，巩固市场地位
半导体制造公司为了在激烈的市场竞争中脱颖而出，微细制程技术的优化至关重要。电路图案制作越精密，每块晶圆上可生产的芯片数量就越多，同时还能有效提高能效与性能。SK海力士深知这一点，自2021年首次在第四代10纳米级（1a）DRAM中引入EUV技术以来，便持续将EUV应用扩展至先进DRAM制造领域。
然而，随着市场需求的不断升级，现有技术已难以满足未来半导体市场对超微细化和高集成度的要求。因此，引进超越现有EUV的下一代技术设备成为必然选择。SK海力士计划通过引进High NA EUV设备，简化现有的EUV工艺，加快下一代半导体存储器的研发进程，从而确保在产品性能和成本方面的竞争力。此举有望巩固其在高附加值存储器市场中的地位，并进一步夯实技术领导力。
四、合作展望：携手共进，推动行业创新
ASML韩国公司总经理金丙灿社长表示：“High NA EUV是开启半导体产业未来的核心技术。我们将与SK海力士紧密合作，积极推动下一代半导体存储器技术的创新进程。”SK海力士未来技术研究院长兼技术总管（CTO）车宣龙副社长也表示：“通过此次设备引进，SK海力士为实现公司未来技术发展愿景奠定了核心基础设施。公司将以最先进技术，为快速增长的AI和新一代计算市场开发所需高端存储器，引领面向AI的存储器市场。”
关于SK海力士
SK海力士总部位于韩国，是全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM（动态随机存取存储器）和NAND Flash（NAND快闪存储器）等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。凭借卓越的技术实力和广泛的市场布局，SK海力士在半导体行业中占据着重要地位。
结语
2025年9月3日，SK海力士引入业界首台量产型High NA EUV设备，这一事件不仅是SK海力士自身发展的重要里程碑，也将对整个半导体行业产生深远影响。随着技术的不断进步和创新，我们有理由期待半导体行业将迎来更加辉煌的明天。
推荐阅读：
2025年Q2全球DRAM营收突破316亿美元，创近年单季最高涨幅
2025模拟芯片市场变局：TI对中国涨价30%，本土厂商迎替代良机
