【导读】2025年，三星电子宣布完成第6代1c纳米DRAM开发，通过优化中央配线层结构与引入EUV光刻技术，成功解决长期困扰行业的发热与信号干扰问题。这一进展被视为三星在HBM4竞争中逆转SK海力士的关键一步，其1c nm工艺样品预计下半年交付客户测试，存储器市场技术主导权之争再起波澜。
2025年，三星电子宣布完成第6代1c纳米DRAM开发，通过优化中央配线层结构与引入EUV光刻技术，成功解决长期困扰行业的发热与信号干扰问题。这一进展被视为三星在HBM4竞争中逆转SK海力士的关键一步，其1c nm工艺样品预计下半年交付客户测试，存储器市场技术主导权之争再起波澜。
技术突破：中央配线层重构与EUV应用
1. 中央配线层设计革新
三星重新设计了DRAM内部的核心通道——中央配线层，该结构负责电力与信号传输。通过减少配线面积并优化布局，成功将电力传输效率提升30%，同时将信号干扰降低至行业领先水平，有效解决了10nm级制程下因配线密度过高引发的发热问题。
2. EUV光刻技术深度整合
1c nm工艺首次在多层超微设计中全面采用EUV光刻设备，结合新型绝缘材料与结构，实现：
●漏电流减少40%，静态功耗降低25%；
●电路线宽进一步缩小，存储密度提升35%；
●工作温度控制在75℃以下，良率稳定性达92%。
市场背景：AI驱动存储器制程持续升级
随着AI算力需求激增，数据中心对HBM（高带宽存储器）的带宽与容量要求呈指数级增长。HBM4作为下一代产品，需通过更先进的制程（如1c nm）实现：
●堆叠层数从12层向16层突破；
●带宽提升至6.4Gbps/pin；
●能效比优化15%。
目前，SK海力士凭借1b nm工艺占据HBM市场主导，但其12层HBM3E产品仍面临三星1c nm工艺的直接挑战。
竞争格局：三星、SK海力士、美光三足鼎立
数据亮点：
●三星1c nm工艺的良率已从初期75%提升至92%，接近SK海力士1b nm的95%；
●SK海力士HBM3E带宽达6.4Gbps，三星HBM4目标带宽8Gbps；
●美光1γ nm工艺聚焦成本优化，目标价格比竞品低10%。
未来挑战：样品测试与客户端认证
三星需在2025年完成三大关卡：
1. 客户质量认证：通过NVIDIA、AMD等AI芯片厂商的HBM4兼容性测试；
2. 良率持续优化：确保1c nm工艺在大规模生产中稳定在95%以上；
3. 生态协同：与台积电、英特尔等合作开发下一代CoWoS封装技术。
结语：存储器技术竞赛进入纳米级博弈
三星通过1c nm工艺突破，不仅为HBM4竞争注入变数，更标志着存储器制程正式进入10nm级深水区。随着EUV技术普及与AI需求驱动，未来两年存储器市场或将迎来新一轮洗牌，而三星能否借此逆转SK海力士，答案将在2026年量产节点揭晓。
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