【导读】2025年第三季度，存储市场呈现明显分化态势：DDR4内存价格预计延续第二季度涨势，涨幅或达10%以上；DDR5需求稳定价格波动微弱，而企业级SSD受AI应用驱动，NAND Flash报价将维持高个位数增长。这一格局与上游厂商减产策略、产品组合调整及HBM市场需求激增密切相关。
存储市场价格分化，DDR4领涨成焦点
2025年第三季度，存储市场呈现明显分化态势：DDR4内存价格预计延续第二季度涨势，涨幅或达10%以上；DDR5需求稳定价格波动微弱，而企业级SSD受AI应用驱动，NAND Flash报价将维持高个位数增长。这一格局与上游厂商减产策略、产品组合调整及HBM市场需求激增密切相关。
市场背景：上游厂商控产与需求结构转变
减产效应发酵：
为优化利润结构，三星、SK海力士等原厂自2025年初起缩减DDR4产能，转产高毛利HBM产品。三星更于第二季度末彻底停产DDR4，仅以库存满足订单，供应收缩直接推高市场报价。
需求端结构性变化：
HBM市场挤压效应：AI服务器对HBM需求激增，原厂优先分配产能至HBM产线，间接减少DDR4供应；
中低阶产品分化：消费级DDR4需求疲软，但工业控制、汽车电子等领域仍维持刚性需求，支撑价格坚挺。
核心驱动：三星停产与库存策略
关键变量解析：
●三星停产冲击：作为全球最大DRAM供应商，三星DDR4停产导致市场供应量缩减约15%，买方转向SK海力士、美光等二线厂商，推高合约报价；
●库存周转策略：原厂通过控制出货节奏维持价格，例如美光将DDR4库存周转率从30天延长至45天，避免价格崩盘。
竞品格局：DDR5稳价与NAND跟涨
DDR5市场动态：
尽管DDR5需求稳定，但原厂为推广新一代产品，采取“控涨保量”策略。例如，SK海力士DDR5-5600模组合约价季度环比仅涨2%，以刺激终端升级。
NAND Flash机遇：
企业级SSD受AI训练集群扩容驱动，三星、西部数据等厂商将PCIe 4.0 SSD报价上调8%-10%，但消费级SATA SSD因库存高企，涨幅控制在5%以内。
场景化影响：下游厂商应对策略
1. 服务器厂商：
转向DDR5以规避DDR4成本上升，但需承担新平台验证费用，部分企业选择混合采购DDR4/DDR5以平衡成本；
2. 消费电子品牌：
通过优化主板设计减少DDR4用量，例如联想将笔记本内存插槽从双通道减至单通道，抵消部分涨价压力；
3. 工业领域：
接受DDR4小幅涨价，因工业设备认证周期长达18个月，切换供应商风险高于成本上升。
供需博弈：第四季度展望
价格趋势预判：
●DDR4：若原厂继续控产，第四季度涨幅或收窄至5%-8%，但HBM产能转换速度将决定长期走势；
●NAND Flash：企业级产品维持涨势，消费级产品或因促销季降价清库存；
●DDR5：随着Intel/AMD新一代平台放量，DDR5渗透率有望突破60%，价格逐步向DDR4靠拢。
结语：存储市场的周期性重构
DDR4本轮涨价本质是上游厂商在AI浪潮下的产能再分配结果。短期看，减产策略与HBM需求共振推高价格；长期而言，DDR5普及与技术迭代将重塑市场格局。下游厂商需通过设计优化、供应链多元化等策略应对周期波动，而原厂则需在利润与市场份额间寻找新平衡点。
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