【导读】全球半导体代工产业正掀起一场颠覆性技术竞赛。三星电子近日向业界投下重磅消息——其半导体研究所已正式启动1nm（1纳米）工艺研发，目标在2029年后实现量产。这场提前卡位战背后，暗含着三星对台积电技术领先地位的绝地反击，以及AI算力芯片军备竞赛催生的产业焦虑。
全球半导体代工产业正掀起一场颠覆性技术竞赛。三星电子近日向业界投下重磅消息——其半导体研究所已正式启动1nm（1纳米）工艺研发，目标在2029年后实现量产。这场提前卡位战背后，暗含着三星对台积电技术领先地位的绝地反击，以及AI算力芯片军备竞赛催生的产业焦虑。
据韩国半导体业界披露，三星此次组建的1nm研发团队抽调了部分参与2nm工艺开发的核心工程师，形成跨部门攻坚小组。这一人员调配策略折射出三星的紧迫感：当前其3nm工艺量产良率仍徘徊在50%-60%区间，而计划今年量产的2nm工艺更面临技术瓶颈。对比台积电2nm工艺超60%的良率表现，三星在先进制程赛道上已落后至少18个月。
1nm工艺的技术突围绝非易事。从物理层面看，当制程进入亚纳米尺度，量子隧穿效应将引发严重的漏电问题，这要求芯片设计必须突破FinFET架构，转向GAA（全环绕栅极）甚至CFET（互补场效应晶体管）等新型结构。制造端则需引入高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV），其13.5nm波长光源配合0.55数值孔径光学系统，可将分辨率提升至8nm级别，但设备单价高达3.5亿美元，且每小时处理晶圆数较现有EUV下降30%。
竞争对手的动向进一步加剧了技术军备竞赛的烈度。台积电早在2023年4月便公布1.6nm（16A）工艺路线图，计划2026年下半年量产，该节点介于1.4nm与2nm之间，被视为向1nm过渡的关键跳板。更值得关注的是，英特尔在18A（1.8nm）工艺上采用背面供电技术，晶体管密度较台积电N2工艺提升30%，这迫使三星必须通过1nm研发构建技术代差。
市场研究机构TechInsights预测，到2030年全球1nm级芯片市场规模将达240亿美元，其中AI加速芯片占比超45%。但三星的豪赌面临双重风险：一方面，3nm/2nm工艺的商业化进程若持续滞后，可能导致客户向台积电进一步集中；另一方面，1nm研发每年需投入超50亿美元，在存储芯片市场疲软的当下，或将加剧三星的财务压力。这场制程追逐战，已不仅是技术实力的较量，更是对产业生态掌控权的终极争夺。
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