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PI推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器
碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆变器应用的开关性能，能够在增强热性能的同时提供较高的击穿场强及开关频率。 不过，SiC要求在更紧凑的设计中能够获得更快速的短路保护，这对门极驱动器提出了独特的挑战 —— 需要在不同的SiC架构中支持各种不同的门极电压。
2019-05-08
MOSFET
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UnitedSiC在650V产品系列中新增7个SiC FET
2018年5月7日，美国新泽西州普林斯顿，德国纽伦堡（Nuremberg） --- 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布，已经为UJ3C（通用型）和UF3C（硬开关型）系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
2019-05-08
MOSFET
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TDK推出B32354S3*系列交流滤波电容器
TDK株式会社 推出新的B32354S3*系列交流滤波电容器。这些电容器通过UL 810元器件结构认证，并带有CE表示，电容器的额定电压为350 V AC，电容值为10μF至40μF，引脚间距为52.5 mm。新系列电容器采用安全膜薄膜结构，元器件达到了UL 810结构审核型等级。
2019-05-08
其它电容
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C&K推出高精度、坚固耐用且价格低廉的超小型微动开关
高品质机电开关领先制造商 C&K 宣布推出紧凑型 LCW 系列超小型密封微动开关。第一款新产品接触额定电流最高 0.1 amp, 具有高度可重复作动的特点, 非常适合极高精度检测应用, 例如电动设备中的温度和压力切换、污水泵恒温控制和空调。
2019-05-08
微动开关
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Nexperia LFPAK MOSFET系列全新8 x 8 mm器件使得功率密度提高达48倍
Nexperia——分立器件、逻辑器件及 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布推出其 MOSFET 和 LFPAK 系列的新封装。该封装与其最新的硅技术相结合，可产生 40 V MOSFET，且提供 0.7 mΩ 的较低 RDS(on)。LFPAK88 器件取代了较大的功率封装，如 D²PAK 和 D²PAK-7。8 x 8 mm 的尺寸使得占位面积减少了 60％，...
2019-05-08
MOSFET
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EPC推出80 V的EPC2214氮化镓场效应晶体管
宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大车规级氮化镓产品系列 – 全新成员是面向具有高分辨率的激光雷达系统、80 V的EPC2214氮化镓场效应晶体管，该元件成功通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101应力测试认证。
2019-05-08
MOSFET
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欧姆龙推出高性能型通用变频器RX2系列
现代制造业的不断转型升级，使得制造现场在追求高品质、高效率的同时，也需要在节能与省空间方面作出考虑。此次推出的高性能型通用变频器 RX2系列，突破了原有变频器的性能限制，不仅尺寸更小、操作更简便，还能够进一步的帮助设备节能和发挥性能。
2019-05-08
其它频率器件
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ST推出相电流单Shunt检测电机控制芯片--- STSPIN32F0B SiP
意法半导体STSPIN32可编程电机控制器/驱动器产品家族新增一款极具性价比的相电流单Shunt检测电机控制芯片--- STSPIN32F0B SiP (系统级封装)。这款理想的全合一新电机控制器可满足日益增长的电池供电工具的需求。
2019-05-08
其它模拟IC
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宏旺半导体宣布大规模生产单颗8GB LPDDR4X
日前，宏旺半导体ICMAX宣布大规模生产单颗8GB LPDDR4X，这是业内首家量产。LPDDR4X 8GB量产表明ICMAX产品线日渐丰富完善，现提供全面先进的嵌入式存储产品，为搭载8GB移动DRAM和512GB存储的智能手机新时代提供更高性能，相信LPDDR4X 8GB上市后将对现有的手机市场造成强有力冲击。新的存储方案具有比...
2019-05-08
DRAM
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