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2.5mA静态功耗突破：AOS发布AMD SVI3多相控制重新定义显卡电源效率
随着AMD Navi48显卡功耗突破350W、AM5平台CPU瞬态响应要求<2μs，传统多相控制器已成能效瓶颈。AOS推出 双输出8相控制器AOZ98252QI ，以 2.5mA超低静态功耗（竞品5倍以上）、 AMD SVI3高速接口 及 A2TM瞬态调制技术 ，直击高性能计算平台的能效痛点。该方案通过8+0至4+4相位灵活配置，为显卡与台式机...
2025-05-28
直流电机
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内置自举二极管+UVLO保护：意法半导体GaN驱动器如何实现能效革命？
随着消费电子快充迈入240W、工业伺服电机开关频率突破100kHz，传统硅基驱动芯片已成GaN性能释放的瓶颈。意法半导体正式推出STDRIVEG610与STDRIVEG611两款GaN半桥栅极驱动器，针对消费级电源适配器、工业伺服电机等场景优化设计。通过集成自举二极管、智能保护功能及纳秒级传输延迟，为600V GaN功率...
2025-05-28
LED驱动IC
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高频+高性价比：中恒微SiC模块如何挑战国际巨头？
在新能源汽车800V高压平台渗透率突破30%的产业背景下，中恒微推出 Drive ED3封装SiC功率模块 ，以 1.8mΩ超低导通电阻、175℃结温运行 及 纳米银烧结工艺 ，瞄准新能源汽车电驱、储能变流器等中高功率市场。该系列模块采用平面栅SiC MOSFET技术，适配1200V~2000V电压平台，直面英飞凌、Wolfspeed等国...
2025-05-27
驱动模块
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200V耐压+2.3A灌电流，Littelfuse新款侧栅极驱动器攻克高频电源驱动难题
Littelfuse最新推出的 IXD2012NTR高压侧/低压侧栅极驱动器 ，以 200V自举电压、2.3A灌电流输出 及 3.3V~20V宽压兼容性 ，瞄准高频电源转换与电机控制市场。该器件通过集成交叉传导保护与高速开关逻辑，将功率器件（MOSFET/IGBT）的开关损耗降低30%，适配DC-DC转换器、太阳能逆变器等场景，直面TI、S...
2025-05-27
LED驱动IC
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20W超低功耗+全接口矩阵：予先科技工控主板突破散热瓶颈
在工业控制领域国产化率不足30%的背景下，予先科技推出基于飞腾D3000M处理器的 3.5寸全国产工控主板GY-B2409 ，以 20W超低功耗、LPDDR5-6400内存 及 X86/Win生态兼容能力 ，突破工业嵌入式设备对进口主板的依赖。该产品通过100%国产元器件供应链与全接口矩阵设计，为智能工厂、轨道交通等场景提供自...
2025-05-27
柔性PCB
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2MHz高频驱动+150V/ns抗扰度：ROHM首款GaN驱动IC开始量产
ROHM宣布量产首款面向600V级GaN HEMT的隔离型栅极驱动器IC BM6GD11BFJ-LB ，以 150V/ns共模抗扰度（CMTI） 与 2MHz高频驱动能力 ，解决GaN器件在工业电源、服务器等场景中的驱动稳定性难题。该产品通过自主片上隔离技术，将系统损耗降低30%，助力大电流应用实现小型化与高效化转型。
2025-05-27
LED驱动IC
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0.09pF结电容！强茂新一代ESD系列重新定义高速信号保护边界
在5G通信、HDMI 2.1（48Gbps）及USB4（40Gbps）高速接口普及的当下，传统ESD防护器件因 插入损耗高、封装体积大 成为信号完整性的瓶颈。强茂电子推出第二代ESD保护二极管系列，以 0.09pF结电容、-0.25dB@15GHz插入损耗 及 0.6mm×0.3mm微型封装 ，直击消费电子与通信设备的防护痛点，重新定义高速信...
2025-05-26
ESD保护器件
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高刚度+微尺寸，鑫精诚发布石英压电传感器突破微观测量极限
在协作机器人关节扭矩反馈精度需达0.01N·m、微创手术器械力控分辨率要求1mN的产业背景下，鑫精诚发布直径 Ф4~12mm石英压电微型测力传感器 ，以 15kHz高频响应、0.1%FS线性度 的性能指标，突破精密制造与生物医学的力测瓶颈。该系列产品通过 石英晶体微加工工艺 与 纳米级封装技术 ，将传统力传感器...
2025-05-26
电压传感器
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导通电阻1.2mΩ！强茂SGT-MOSFET的车用效能突破
在新能源汽车渗透率突破35%的产业背景下，强茂电子推出全新60V N通道SGT-MOSFET系列，以 屏蔽栅槽沟技术（SGT） 为核心，实现导通电阻低至1.2mΩ、开关损耗降低57%的性能突破。通过AEC-Q101车规认证与全场景封装方案，该系列器件瞄准车载电源管理、电机驱动及智能驾驶系统，直面英飞凌、安森美等国际...
2025-05-26
MOSFET
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