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专为智能体AI打造：高通第五代骁龙8至尊版实现终端侧深度学习
高通技术公司于2025年9月24日在夏威夷骁龙技术峰会上，正式发布全球领先的移动SoC——第五代骁龙8至尊版移动平台。该芯片采用台积电第三代3nm工艺（N3P），搭载第三代自研Oryon CPU核心，采用“2+6”全大核架构。官方数据显示，其CPU单核性能提升20%，GPU性能提升23%，AI性能提升37%，SoC整体功耗下降16...
2025-09-25
CPU
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Littelfuse DFNAK3系列TVS二极管：3kA浪涌保护与70%空间节省兼得
Littelfuse公司（纳斯达克代码：LFUS）近日推出DFNAK3系列大功率TVS二极管，该系列采用紧凑型DFN封装，可在仅占传统封装30%的PCB空间内提供3 kA（8/20 µs）的浪涌电流保护。新品专为高密度设计的直流供电系统和以太网供电（PoE）应用优化，符合IEC 61000-4-5第4级标准，旨在解决严苛环境下的电路保...
2025-09-24
瞬变抑制二极管
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富唯电子FSD26激光位移传感器：以微米级精度破解工业检测难题
富唯电子推出的FSD26系列激光位移传感器，是一款面向工业自动化领域的高精度非接触式测量解决方案。该产品集微米级重复精度、IP67高防护等级和紧凑型结构于一身，支持多种输出接口，旨在满足复杂工业环境下对尺寸、位置、厚度等参数的精准测量需求。
2025-09-24
位置传感器
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突破效率瓶颈！东芝第三代650V SiC MOSFET实现工业设备功率密度新提升
东芝电子元件及存储装置株式会社近日宣布，推出三款采用表面贴装TOLL封装的650V碳化硅（SiC）MOSFET器件——TW027U65C、TW048U65C和TW083U65C 。这些新产品搭载了东芝最新的第三代SiC MOSFET芯片，旨在满足工业应用对更高效率和功率密度的需求，并已开始批量出货 。
2025-09-24
MOSFET
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专为X3D优化！技嘉X870E X3D系列主板以AI Turbo Mode 2.0提升游戏性能25%
技嘉科技正式发布AORUS X870E X3D系列主板，该系列专为AMD Ryzen™ X3D处理器优化设计。核心亮点包括X3D Turbo Mode 2.0 AI动态超频技术，宣称可提升游戏性能最高25%，并支持DDR5内存频率高达9000+ MT/s。主板采用纯白外观设计（如MASTER ICE和PRO ICE型号），集成6mm直触式VRM热管与PCB散热背板，散...
2025-09-24
柔性PCB
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博瑞集信Sub-6GHz移相器：以4.5dB低插损赋能新一代相控阵系统
博瑞集信近日正式发布其Sub-6GHz移相器系列产品，工作频率覆盖0.9GHz至4.5GHz。该系列产品具有低插入损耗（典型值4.5dB） 和小幅度波动（典型值±0.6dB） 的显著特点，旨在为卫星通信终端、专用移动通信、无人机蜂群控制等需要精确波束赋形的应用提供高性能核心元器件。
2025-09-24
电压互感器
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英飞凌推出75mΩ CoolSiC™ G2 MOSFET：以TSC/BSC散热灵活性应对紧凑型SMPS挑战
英飞凌科技（Infineon Technologies）近日宣布扩展其CoolSiC™ 650V G2系列碳化硅（SiC）MOSFET产品线，新增75mΩ导通电阻（RDS(on)）规格型号。该器件提供多样封装选择，包括TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及TO247-4，全面支持顶部冷却（TSC）与底部冷却（BSC）两种散热方案。新品基于第...
2025-09-24
MOSFET
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超越机械千分表：UMBB系列LVDT传感器实现超1亿次循环寿命
UNIVO传感器解决方案推出的UMBB系列超精密LVDT位移测量探头，专为工业质量控制、检测设备中的高精度尺寸参数测量而设计。该系列探头采用弹簧式AC-LVDT结构，具备小于全量程0.05%的优异线性度和无限分辨率，提供±1.0mm、±2.5mm及±5.0mm三种标准量程，是替代机械式指示器的理想电学解决方案。
2025-09-23
加速度传感器
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突破多电平电路设计瓶颈：ROHM新型SiC模块实现2.3倍功率密度提升
全球知名半导体制造商ROHM（罗姆）近日宣布推出其新型二合一结构的SiC模块“DOT-247”。该模块在保留传统TO-247封装通用性的同时，通过创新的封装设计，显著提升了功率密度和设计灵活性。新产品非常适合光伏逆变器、UPS（不间断电源）和半导体继电器等工业设备应用场景，并计划拓展至汽车电子领域。
2025-09-23
MOSFET
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