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SiC集成+宽爬电封装！PI 推出面向800V汽车应用的五款开关IC
Power Integrations推出的1700V InnoSwitch™3-AQ开关IC，首次将1700V碳化硅（SiC）开关与InSOP™-28G宽爬电封装结合，实现初级侧1000VDC高压耐受能力，引脚间爬电距离达5.1mm，满足2级污染环境下的严苛绝缘要求。该技术无需喷涂三防漆，简化生产流程并降低认证成本，为800V纯电平台提供高可靠隔离电...
2025-05-21
功率器件
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突破浪涌瓶颈！AOS新型TOLL封装MOSFET赋能48V热插拔应用
AOS推出的AOTL66935采用自主研发的100V AlphaSGT™ MOSFET技术，通过沟槽工艺实现1.95mΩ超低导通电阻（RDS(ON)），同时结合宽范围安全工作区（SOA）设计，显著提升器件在48V热插拔场景下的峰值电流承载能力与可靠性。该技术有效抑制浪涌电流冲击，降低系统并联器件需求，简化电源拓扑。
2025-05-21
MOSFET
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体积缩小+开关功耗低！东芝发布新型650V第3代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，其基于第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术的四款650V功率器件——TW031V65C、TW054V65C、TW092V65C及TW123V65C正式投入批量生产。该系列采用紧凑型DFN8×8封装，其体积减小90%以上，为开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备提供更高功率密度的解决方案。
2025-05-21
MOSFET
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人眼安全+超密点阵：艾迈斯欧司朗双激光方案引爆AIoT时代3D传感革命
艾迈斯欧司朗通过VCSEL阵列重构技术实现双重突破：BIDOS® P3435 Q BELAGO 1.2采用940nm波长激光器，在4.2mm³封装内集成15,000个独立光点，较传统结构光模组精度提升3倍；BIDOS® P2433 Q V105Q121A-850则开创性地将光电二极管与850nm VCSEL共封装于3.3mm³空间，实现人眼安全与微型化的完美平衡。
2025-05-21
光电传感器
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紧凑设计+多协议支持：贸泽上新Nordic蓝牙SoC加速物联网开发
全球电子元器件代理商贸泽电子宣布，即日起正式开售Nordic Semiconductor nRF54L低功耗蓝牙系统级芯片（SoC）。这款专为物联网设备打造的无线解决方案，在微型封装内集成高性能处理器与超低功耗射频，可完美适配于医疗和智能家居设备、工业物联网、游戏控制器和其他物联网应用。
2025-05-21
SoC
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边缘计算新标杆！贸泽备货Renesas RZ/V2N微处器
全球电子元器件代理商贸泽电子正式开售瑞萨电子（Renesas）RZ/V2N视觉AI微处理器。该芯片集成专用AI加速引擎，支持实时图像处理与边缘推理，在保持1.4TOPS算力的同时优化成本结构，为智能摄像头、服务机器人、后装行车记录仪等场景提供高性价比解决方案。RZ/V2N采用紧凑型封装，适配空间受限的嵌入...
2025-05-20
MCU
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GaN+AHB架构颠覆！大联大诠鼎推出140W适配器方案重塑能效比天花板
大联大诠鼎推出的140W电源适配器方案，通过PFC+AHB非对称半桥架构实现技术跃迁。该方案采用立锜科技RT7333数字PFC控制器，支持400kHz高频工作模式，搭配RT7795 AHB PWM控制器，形成全谐振软开关拓扑。测试数据显示，在230Vac输入条件下，该方案峰值效率达94.2%，较传统LLC架构提升1.8个百分点，空载...
2025-05-20
电源适配器
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车规级碳化硅突围！AOS推出aSiC MOSFET破解高压拓扑能效瓶颈
AOS第三代1200V aSiC MOSFET通过三维材料改性技术实现双重突破：在25℃条件下，15mΩ典型导通电阻较传统硅器件降低62%，而在175℃高温工况下仍能保持85%的初始导通性能。更值得关注的是其开关品质因数（FOM=Rds(on)*Qg）优化至155mΩ·nC，较行业平均水平提升30%。这项突破源于对沟槽栅结构的创新优化——...
2025-05-20
MOSFET
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车规级封装革新！Nexperia采用CFP2-HP封装破解小型化散热难题
Nexperia创新推出CFP2-HP封装技术，通过铜夹片设计与外露式散热器实现2.65×1.3×0.68mm超微型封装，相较传统SMA/B/C封装体积缩减60%，同时热损耗（Ptot）降低35%。该技术突破平面肖特基二极管的物理极限，为多层PCB设计提供高密度布局可能。
2025-05-20
瞬变抑制二极管
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