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Qorvo推出采用 TOLL 封装的 750V 4mΩ SiC JFET，推动断路器技术的革命性变革
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，率先在业界推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。该产品专为包括固态断路器在内的电路保护应用而设计，UJ4N075004L8S 所具有的低电阻、卓越的热性能、小巧的尺寸和高可靠性...
2024-06-17
瞬变抑制二极管
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长光辰芯发布GL系列最新产品，适用于点激光位移传感器
长光辰芯发布全新系列芯片——GLR1205BSI-S。GLR是长光辰芯线阵芯片GL中的全新子系列，是基于长方形像素尺寸设计的线阵图像传感器。GLR1205BSI-S作为该系列的首款产品，将助力长光辰芯开辟更多应用领域，例如点激光位移传感器，光谱测量，光学相干断层扫描（OCT）等。GLR系列会陆续推出更多产品以满足...
2024-06-17
图像传感器
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治精微推出精密电阻网络产品ZJM5400系列，静电保护能力高达3.5kV
上海治精微电子有限公司(以下简称“治精微”)，总部位于张江的高端模拟芯片方案供应商，宣布推出高达3.5 kV静电保护能力(HBM)，含有四个相互高精度匹配的电阻器网络产品ZJM5400系列。
2024-06-17
精密电阻
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Melexis推动行业变革：汽车照明LED驱动芯片实现超小型化
全球微电子工程公司Melexis近日宣布，作为汽车动态照明LED驱动芯片领域的领军者，正式推出全新产品MLX81123，进一步扩展LIN RGB系列产品线。这款芯片在前代产品的基础上进行深度优化，封装设计更为紧凑，成本效益显著提升，同时保持稳定可靠的卓越性能。此外，通过布局新供应链，迈来芯不仅显著提升...
2024-06-17
LED
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CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率
无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出采用新颖的芯片和封装设计的、超低导通电阻(RDS(on)) ICeGaN™ GaN 功率 IC ，将 GaN 的优势提供给数据中心、逆变器、电机驱动器和其他工业电源等高功率...
2024-06-14
功率器件
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Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求
Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q)，并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装，适用于电动汽车和其他汽车中的多种应用。此外，为了进一步扩展其SiC二极管产品组合，Nexperia现还提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6 A...
2024-06-14
瞬变抑制二极管
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单颗可替代六个标准 MCU，英特尔旗下芯力能推出 OLEA U310 车用 SoC
电动汽车电机控制领域企业芯力能 Silicon Mobility 发布车用现场可编程控制单元 OLEA U310，宣称单个 OLEA U310 SoC 可至多替代 6 个标准 MCU。Silicon Mobility 是一家法国企业，主营电机控制芯片的设计和配套软件服务，于今年初被英特尔收入麾下。
2024-06-14
SoC
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英飞凌推出具有出色杂散场稳健性的XENSIV™ TLE49SR角度传感器系列
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出全新的XENSIV™ TLE49SR角度传感器系列。该系列传感器兼具出色的抗杂散场能力和高精度，适用于电动助力转向、车辆高度调平等安全关键型汽车底盘系统应用。
2024-06-15
位置传感器
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安森美推出最新的第 7 代1200V QDual3 IGBT 功率模块
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi)， 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800 安培 (A) QDual3 模块基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来业界领先的能效表现，有助于降低...
2024-06-14
控制模块
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