【导读】全球功率半导体领袖英飞凌科技，近日以其创新的CoolMOS™ 8 高压超结 MOSFET 技术，赋能长城电源技术有限公司的服务器电源解决方案。此次合作标志着硅基功率器件在追求极致功率密度与系统性价比的道路上，再次树立了新的行业基准，充分满足数据中心等严苛应用的需求。
全球功率半导体领袖英飞凌科技，近日以其创新的CoolMOS™ 8 高压超结 MOSFET 技术，赋能长城电源技术有限公司的服务器电源解决方案。此次合作标志着硅基功率器件在追求极致功率密度与系统性价比的道路上，再次树立了新的行业基准，充分满足数据中心等严苛应用的需求。
英飞凌 CoolMOS™ 8全系封装产品
卓越性能，铸就行业新标杆
英飞凌的 MOSFET 产品聚焦高性能、高可靠性和易用性，可实现出色的能效表现和高功率密度。600V CoolMOS™ 8 超结（SJ）MOSFET 专为实现出色的效率、可靠性并节约成本而设计。能够在600V CoolMOS™ 7与CoolMOS™ 8之间无缝切换以实现供应灵活性，以及在 LLC 阶段的易用性，是长城电源选择该技术的主要原因之一。
英飞凌科技副总裁、高压功率开关产品线负责人 Christina Guggenberger 表示：“英飞凌通过硅基功率 MOSFET 技术，为客户带来卓越的性能、可靠性与成本效益，为全球市场树立了创新与卓越的行业标杆。我们的 CoolMOS™ 8技术正是这一承诺的绝佳例证，它为打造满足数据中心应用严苛要求的高性能电源解决方案提供了强大支持。”
长城电源首席技术官金博士表示：“与英飞凌的持续深化合作，让我们得以借助其行业领先的 CoolMOS™ 8 超结（SJ）MOSFET 技术，提升我们的系统性能并实现更高的成本效益。这一合作体现了我们在行业内追求创新与卓越的坚定决心。我们很高兴地看到，我们现在为客户提供的电源解决方案（PSU）在功率密度和成本节约方面实现了显著提升。”
技术领先，全球瞩目
英飞凌最新推出的600V CoolMOS™ 8在全球高压超结 MOSFET 技术领域独占鳌头，为全球技术水平及性价比树立了新标杆。该技术不仅提升了整体系统性能，还推动了充电器、适配器、光伏及储能系统、电动汽车充电设备以及不间断电源（UPS）等领域的低碳化进程。与 CFD7系列相比，CoolMOS™ 8 超结（SJ）MOSFET 的栅极电荷降低了18%；与 P7系列相比，更是降低了33%。栅极电荷的减少意味着系统能效的显著提升。此外，该 MOSFET 还拥有更快的关断时间和卓越的热性能，内置快速体二极管，提供多种封装形式，满足广泛消费类及工业类应用场景的需求。
除碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术外，英飞凌的功率 MOSFET 在性能、可靠性、品质及性价比方面树立了行业标杆，不仅能实现一流的应用效果，还助力客户开发兼具创新性与成本效益的解决方案，以满足各类严苛需求。
供货信息：开启合作新篇章
600V和650V CoolMOS™ 8 超结（SJ）MOSFET的样品现已开放订购，诚邀各界合作伙伴共襄盛举，共创电源技术新未来。
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