【导读】纳芯微电子革新推出NSCSA21x系列电流检测放大器，以±5μV全球最低失调电压、130dB CMRR及-28V电池反接耐受三项突破性指标，解决新能源电驱、工业电源的毫安级精密检测难题。支持-40~125℃全温域±0.5%精度，SC70-6封装面积仅2.5mm²，2024年Q3量产交付。
纳芯微电子革新推出NSCSA21x系列电流检测放大器，以±5μV全球最低失调电压、130dB CMRR及-28V电池反接耐受三项突破性指标，解决新能源电驱、工业电源的毫安级精密检测难题。支持-40~125℃全温域±0.5%精度，SC70-6封装面积仅2.5mm²，2024年Q3量产交付。
技术痛点与创新方案
行业困局：
●电机相电流检测受PWM地弹干扰，常规方案误差＞10%
●电池反接保护需外置12颗元件，增加BOM成本$0.8
●-40℃低温环境下失调电压漂移超±50μV
纳芯微破局技术：
▶ 地弹消除引擎：自适应PWM抑制技术，在200kHz开关频率下将共模噪声衰减60dB
▶ 反接防护集成：片上-28V耐受架构，省去外部TVS/保险丝电路
▶ 低温漂架构：硅锗合金电阻网络实现0.05μV/℃温漂（较竞品5倍提升）
▶ 双向检测：H桥电路±0.5°电角度控制精度，支持FOC算法实时校正
核心作用
●精度跃迁：5μV失调电压实现10mA小电流±0.1%检测精度
●系统瘦身：反接防护集成使PCB面积缩小65%
●车规可靠：AEC-Q100 Grade 1认证保障150万小时MTBF
NSCSA21x 系列输入失调电压群体分布
NSCSA21x 系列共模抑制比量产分布
关键性能
产品型号
竞品性能对比
数据分析：
NSCSA21x在精度、抗干扰、防护三维度全面领先：失调电压仅为TI方案的1/5，CMRR比ADI高20dB，反接耐受电压较罗姆提升180%，SC70-6封装面积比SOT-23小40%。
场景化应用解读
▌ 800V电驱相电流检测
●130dB CMRR抑制SiC MOSFET的200kHz开关噪声
●±0.5°电角度控制精度提升电机能效3%
▌ 数据中心电源冗余
●5μs快速响应实现μs级过流保护
●-28V反接防护消除热插拔风险
▌ 储能BMS从控模块
●0.05μV/℃温漂保障-40℃极寒环境±0.8%精度
●SC70-6封装嵌入模组间隙空间
技术支持与供应保障
●参考设计：官网提供H桥检测布局指南（含地弹抑制方案）
●车规认证：开放AEC-Q100 Grade1全项测试报告
●增益选项：50/75/100/200 V/V四档固定增益
●交期承诺：工规版库存交付，车规版交期8周
结语
NSCSA21x系列以“原子级精度×堡垒级防护×冰级温漂”三重技术突破，重新定义电流检测边界。其5μV超低失调特性正成为第三代半导体电源的精度基石，而-28V反接防护则树立工业安全新标准。纳芯微预告下一代将集成±1500V隔离功能，直击高压系统检测痛点。
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