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晶闸管
Littelfuse推出业内首款采用D-PAK封装、具有150°C结温的SCR晶闸管
近日，作为全球电路保护领域的领先企业的Littelfuse, Inc.，宣布推出了高温SCR（硅控整流器）晶闸管——同类首款结温高达150°C，采用紧凑型表面安装式D-PAK (TO-252)封装。 该产品还提供通孔V-PAK (TO-251)封装。
三重富士通半导体推出55nm CMOS毫米波制程设计套件
三重富士通半导体股份有限公司（注１）（以下简称“三重富士通半导体”）与富士通研究所（注２）针对车载雷达及第5代移动通信系统等毫米波市场，共同研发出可实现高精度电路设计的55nm CMOS 制程设计套件（Process Design kit，简称PDK）。通过此PDK的运用，用户能够对包含放大器及变频电路等毫米波设计的大规模电路进行精确的设计。
Teledyne e2v 推出：创新和卓越的放射治疗技术
Teledyne e2v正在为中国医疗市场预期的大幅增长做好准备。2017年12月，作为公司在该地区实现长期增长的其中一项战略，Teledyne e2v宣布扩充其在北京朝阳区的运营中心。自2015年在中国首次建立分部以来，公司与客户在中国的合作项目取得了重要进展。
安森美半导体推出应用于LED照明的全新高能效控制器
安森美半导体 (ON Semiconductor)推出两款全新LED照明控制器方案。可调光的NCL30386和不可调光的NCL30388，为LED照明设备（如办公室和工业楼宇的灯具等）的设计人员提供领先市场的选择 。
Littelfuse推出SJ系列高温硅控整流器开关型晶闸管
LifeSignals推出与3M和意法半导体联合开发的Life Signal系列处理器
贸泽电子备货Qorvo的QPD1025L碳化硅基氮化镓晶体管
贸泽电子近日备货Qorvo的QPD1025L碳化硅（SiC） 基氮化镓（GaN） 晶体管。QPD1025在65 V 电压下的功率为1.8 kW，是业界功率最高的碳化硅基氮化镓 （GaN-on-SiC）射频晶体管，提供高信号完整性和长覆盖距离，非常适合L波段航空电子设备和敌我识别 （IFF） 应用。
埃赋隆面向UHF广播应用推出首款Gen9HV LDMOS 140W RF PA晶体管
埃赋隆半导体宣布推出专为诸如数字视频广播（DVBT）和特高频（UHF）模拟电视等UHF广播应用设计的BLF989射频（RF）功率晶体管。这款140W（平均值——峰值为700W）的晶体管采用埃赋隆最新的Gen9HV高压LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）工艺，是采用该工艺技术的首款广播器件。该器件通常具有＞34%的高工作效率（AB类），并且采用陶瓷SOT539封装形式，安装吊耳可有可无。
安森美推出新款RB系列硅光电倍增管，增强LiDAR低反射物体的远距离探测
安森美半导体近期推出了新款R系列硅光电倍增管（SiPM），提高了电磁波谱红色和近红外区域的灵敏度。
EPC公司推出增强型氮化镓器件的晶圆
EPC公司宣布推出领导业界的增强型氮化镓器件的晶圆，使得客户易于集成功率系统。EPC公司的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）及集成电路一直以来都是以单个并包含锡条或锡球的芯片级器件出售。
埃赋隆推出工作在433MHz频段的500W LDMOS晶体管
埃赋隆半导体（Ampleon）现在面向工业加热、除霜、等离子照明和医疗应用推出基于 LDMOS 的 BLP05H9S500P 功率放大器晶体管。
VisIC 推出新的 8毫欧姆氮化镓开关管，用于电动汽车逆变器
作为汽车高压应用氮化镓（GaN）器件的全球领导者VisIC公司，自豪地宣布其新的低导通电阻产品发布。针对电动汽车逆变器应用，此款产品将有助于提高电机控制器效率，降低整机制造成本。新的8毫欧姆产品是支持客户和改进电源转换系统的持续努力中的又一步骤。
基本半导体推出国内首创极致小尺寸的PD快充用碳化硅二极管
Murata ABR型Wi-Fi® 11b/g/n+MCU模块（带集成PCB天线）基于NXP 88MW320无线微控制器。它支持Wi-Fi 802.11b/g/n，PHY数据速率高达72.2Mbps，集成200MHz Arm® Cortex®-M4F MCU，用于主机侧应用。
Ampleon发布增强性能的第3代碳化硅基氮化镓晶体管
埃赋隆半导体宣布推出两款新型宽带碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）高电子迁移率晶体管（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。
Qorvo发布TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。这也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 产品 TOLL 封装系列中的首发产品，其导通电阻范围从 5.4 mΩ 到 60 mΩ。
意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管
意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先同类产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统，以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。
三菱电机开始提供工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块样品
三菱电机集团近日（2023年6月13日）宣布，将于6月14日开始提供工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块的样品。该模块降低了内部电感，并集成了第二代SiC芯片，有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。
谏早电子推出异质晶体管“RTEXXXXM”，可不使用IC构成电池电压监视电路
半导体制造商谏早电子开发出异质晶体管“RTEXXXXM”。本系列为内装2元件型, 除了可作出小型化, 使用方法也可以有电压检测, 保护用等等多种用途, 也齐集丰富的产品种类。本产品无需使用IC即可构成电池电压监视电路，是一款有助于降低成本的产品。
