【导读】三菱电机集团近日（2023年6月13日）宣布，将于6月14日开始提供工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块的样品。该模块降低了内部电感，并集成了第二代SiC芯片，有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。
三菱电机集团近日（2023年6月13日）宣布，将于6月14日开始提供工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块的样品。该模块降低了内部电感，并集成了第二代SiC芯片，有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。
工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块
为降低全球社会范围内的碳排放，功率半导体器件正越来越多地被用于高效电力变换场合。其中，对于能够显著降低功率损耗的SiC功率半导体的期望越来越高。大功率、高效率功率半导体能够提高工业设备（逆变器等部件）的功率转换效率，其需求正在不断扩大。
三菱电机于2010年开始推出搭载SiC芯片的功率半导体模块。此次，新模块采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构，与现有的Si IGBT模块相比，内部杂散电感减少约47%*1，并显著降低了功率损耗。
该SiC产品的开发得到了日本新能源·产业技术综合开发机构(NEDO)的部分支持。
产品特点
优化的内部结构并采用SiC芯片，有助于实现设备的高效率、小型化、轻量化
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内部连接采用优化的叠层结构，实现了9nH的内部杂散电感，比现有IGBT模块降低约47%；
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通过降低内部杂散电感，抑制设备的浪涌电压，实现高速开关的同时降低开关损耗；
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采用 JFET掺杂技术*2的第二代SiC芯片具有低损耗特性，与现有Si IGBT模块相比，功率损耗降低约72%*1，有助于提高设备效率；
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低的功率损耗有助于减少热量的产生，从而允许使用更小、重量更轻的散热器。
兼容的NX型封装，Si模块和SiC模块可以轻松替换
在搭载SiC芯片的同时，在外形尺寸和管脚配置等方面维持了NX型封装的兼容性，便于轻松替换，有助于缩短新设备设计时间。
未来发展
三菱电机将继续扩大其功率半导体模块产品线，进一步为工业设备的高效率、小型化、轻量化做出贡献。
主要规格
*1：基于三菱电机确定的测量条件，与1700V/600A NX-type Si IGBT Module T-series (CM600DX-34T)对比得出
*2：JFET (Junction Field Effect Transistor)：结型场效应晶体管
*3：RoHS: Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
关于三菱电机
三菱电机创立于1921年，是全球知名的综合性企业。在2022年《财富》世界500强排名中，位列351名。截止2022年3月31日的财年，集团营收44768亿日元(约合美元332亿)。作为一家技术主导型企业，三菱电机拥有多项专利技术，并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场，三菱电机从事开发和生产半导体已有60余年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。
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