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瞬变抑制二极管

MPS最新12V负载多相解决方案提供快速瞬态性能

MPS最新12V负载多相解决方案提供快速瞬态性能

MPS最新推出的多相解决方案通过采用一颗变压器电感实现超快的瞬态响应,可以在不牺牲设备总效率的情况下,满足安培和带宽方面的负载需求。

东芝推出两款双向瞬态电压抑制二极管

东芝推出两款双向瞬态电压抑制二极管

东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)推出两款双向瞬态电压抑制二极管(静电放电保护二极管)“DF2B5PCT”和“DF2B7PCT”,用于提高IC电源线路适用标准电容类型的额定峰值脉冲电流。

Nexperia 推出80 V 配电阻晶体管,用于 48 V 汽车和其他更高电压总线电路

Nexperia 推出80 V 配电阻晶体管,用于 48 V 汽车和其他更高电压总线电路

Nexperia今天首次宣布推出80 V RET(配电阻晶体管)系列。这些新的RET或“数字晶体管”提供了足够的余量,可用于48 V汽车板网(如轻度混合动力和EV汽车)和其他更高电压的电路,这些电路经常受到较大的尖峰和脉冲影响,以前的50 V器件无法处理。

抗结点温度高达150ºC,高噪声,ST全新高温晶闸管问世

抗结点温度高达150ºC,高噪声,ST全新高温晶闸管问世

近日,ST最近更新了其高温晶体闸流管产品系列,结点温度可达到150ºC,提供抗高噪声功能。TN系列涵盖了从12A到80A的各种通态电流。本文将重点关注一款特殊的设备:TN5015H-6G。该器件是第一个50 A的通态电流和600 V的关态电压的器件,它能解决多大的问题?

TDK推出高效ESD保护的超小型TVS二极管

TDK推出高效ESD保护的超小型TVS二极管

TDK株式会社(东京证券交易所股票代码:6762)针对ESD保护应用推出超小型的高功率TVS(瞬态抑制)二极管,进一步扩展了I/O接口的双向过压保护元件的产品组合。新元件采用芯片级封装,尺寸仅为400 x 200µm²(CSP01005) 或 600 x 300µm²(CSP0201), 封装高度也极低,仅为100µm。

意法半导体推出车规低电容瞬压抑制器可保护高速接口

意法半导体推出车规低电容瞬压抑制器可保护高速接口

意法半导体的ESDCAN03-2BM3Y车规低电容双瞬态电压抑制器(TVS) 为汽车CAN和CAN-FD总线接口提供全方位的电气保护,产品封装小,性能领先市场。

国巨推出TVS瞬态抑制二极体保护元件,用于汽车及5G通讯应用

国巨推出TVS瞬态抑制二极体保护元件,用于汽车及5G通讯应用

全球被动元件领导厂商-国巨集团,为因应快速成长的电动车及5G通讯市场需求,主推半导体扩散工艺制成的瞬态抑制二极体(TVS)保护元件。

贸泽备货Qorvo QPD0011 高电子迁移率晶体管

贸泽备货Qorvo QPD0011 高电子迁移率晶体管

贸泽电子即日起开始备货Qorvo® QPD0011高电子迁移率晶体管 (HEMT)。此碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 晶体管性能优异,可为5G大规模MIMO、LTE和WCDMA系统中的蜂窝基站和射频应用提供支持。

东芝扩大汽车用双极晶体管的阵容有助于设备的小型化

东芝扩大汽车用双极晶体管的阵容有助于设备的小型化

东芝已通过商业化TTC502,在一个紧凑的SOT-23F汽车双极晶体管扩大其汽车双极晶体管的阵容[1]包具有用于在LED驱动器使用高容许集电极功率耗散电路,例如汽车背光和 MOSFET 栅极驱动器电路。包括优先发布的产品 TTA500、TTA501、TTA502、TTC500 和 TTC501,该阵容包括集电极-发射极电压额定值从 -50 V 到 120 V 和集电极电流额定值从 -2.5 A 到 2.5 A。

Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列

Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列

基础半导体元器件领域的专家Nexperia宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管,正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措,旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。

Nexperia推出拥有业内极低的±1%容差的一系列A-selection齐纳二极管

Nexperia推出拥有业内极低的±1%容差的一系列A-selection齐纳二极管

基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)宣布推出业内首批A-selection齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差仅有±1%,相比B(±2%)和C(±5%)版本,可提供更高精度的基准电压。这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求,也可以支持Q产品组合器件。

意法半导体首款采用微型SMB Flat封装的1,500 W TVS二极管SMB15F已经通过认证

意法半导体首款采用微型SMB Flat封装的1,500 W TVS二极管SMB15F已经通过认证

意法半导体新推出的SMB15F系列1,500 W瞬态电压抑制二极管(采用SMB Flat封装)已经通过认证。与SMC封装相比,SMB Flat封装的体积减少了50%。除了空间方面的改进,价格更有优势,为企业节约了预算。此外,更小的尺寸有利于提高功率密度和提高效率。

东芝推出10 款电源线保护齐纳二极管的产品线,以扩大产品阵容

东芝推出10 款电源线保护齐纳二极管的产品线,以扩大产品阵容

东芝在其“CUHZ 系列”中推出了 10 款齐纳二极管产品,以扩大产品阵容。这些产品可保护半导体器件免受开关浪涌、感应雷电浪涌[1]和静电放电 (ESD) [2]的影响。

Littelfuse推出SPxxR6瞬态抑制二极管阵列

Littelfuse推出SPxxR6瞬态抑制二极管阵列

芝加哥2022年2月22日讯 - Littelfuse公司 (纳斯达克股票代码:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出新的SP33R6,一系列四通道、低电容(0.2pF)的瞬态抑制二极管阵列。 这些功能强大的二极管可提供极低的击穿/导通电压,是低电压(-0.3至+0.3V)高速数据线的理想保护器。 它可以安全吸收高于IEC61000-4-2国际标准规定的最高级别(4级,±8kV接触放电)反复性ESD放电,且性能不会下降。

东芝推出超低电容TVS二极管,可保护物联网设备高频天线免受ESD侵扰

东芝推出超低电容TVS二极管,可保护物联网设备高频天线免受ESD侵扰

东芝宣布,推出一款用于高频天线的超低电容TVS二极管---“DF2B6M4BSL”。该二极管能够保护半导体和其他电子元件免受静电与噪声的影响,同时抑制信号劣化。该产品于今日开始支持批量出货。

Bourns推出业界首款采用紧凑型DFN封装的功率瞬态电压抑制二极管

Bourns推出业界首款采用紧凑型DFN封装的功率瞬态电压抑制二极管

2022年8月2日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商,推出 Bourns® PTVS1 和 PTVS2 系列,为业界首款采用紧凑型 DFN 封装 (8 mm x 6 mm x 2.5 mm) 的功率瞬态电压抑制二极管。Bourns® PTVS1 和 PTVS2 表贴式系列产品提供有效的 ESD 静电保护,满足日益增长的高浪涌电流解决方案,亦有助于设计人员节省宝贵的 PCB 板空间。

Bourns 推出能够处理 20 kA 浪涌电流和低钳位电压的大电流 PTVS 二极管

Bourns 推出能够处理 20 kA 浪涌电流和低钳位电压的大电流 PTVS 二极管

Bourns推出了一款专为大功率直流线路保护应用而设计的双向电源瞬态电压抑制器 (PTVS) 二极管。新型号 PTVS20-015C-TH能够在 15 V 的低压下处理 20 kA 电流浪涌,使其成为需要大功率直流总线保护应用的理想且有效的静电放电 (ESD) 保护解决方案。

Littelfuse航空航天电子应用推出紧凑型SMD TVS二极管

Littelfuse航空航天电子应用推出紧凑型SMD TVS二极管

Littelfuse, Inc.(纳斯达克股票代码:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力,现在宣布推出全新5.0SMDJxxS-HRA TVS二极管系列。这些高可靠性TVS二极管经过精心设计、制造和筛选,可提供强大的过压保护功能,早期故障率极低,并且在连续浪涌事件中达到零衰减。

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