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瞬变抑制二极管
Littelfuse推出高浪涌额定值SMD瞬态抑制二极管
芝加哥，2022年11月1日 — Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出全新的SMTOAK2瞬态抑制二极管系列。 如今，许多大功率、高浪涌额定值瞬态抑制二极管只能采用轴向引线型封装。 通过紧凑的2kA 8/20μs额定值表面贴装SMTOAK2瞬态抑制二极管系列，电子设备设计者能够实现更稳定的瞬态电压、过压保护和雷击保护系统，同时占用更少的印刷电路板（PCB）空间。
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)（统称“东芝”）已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成方格状（方格状嵌入式SBD），以实现低导通电阻和高可靠性。东芝已经证实，与目前的SiC MOSFET相比，这种设计能够在不影响可靠性的前提下，将导通电阻[1] (RonA)降低约20%
Bourns推出最高通流能力的双向功率瞬态电压抑制器二极管系列
2023年1月4日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商，推出 Bourns 最高通流能力的双向功率瞬态电压抑制器 (PTVS) 二极管系列。Bourns® PTVS20-015C-H 可采用紧凑型表贴式 DFN 封装，能够在 15 V 的低电压下处理 20 kA、8/20 µs 的电流浪涌，这些特性在需要大功率 DC 线路保护的应用中提供有效的静电放电 (ESD) 保护。
纳微半导体发布新一代650V MPS™ SiC碳化硅二极管
唯一全面专注的下一代功率半导体公司 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅(SiC)功率二极管，可有效满足数据中心、工业电机驱动、太阳能和消费电子等要求严格的应用需求。
TDK推出为USB-C提供完整ESD保护的超紧凑型TVS二极管
TDK株式会社（东京证券交易所代码：6762）针对USB-C端口和其他高速接口的ESD保护应用推出一款超紧凑型TVS二极管。对于USB-C等符合USB4（第1版）规范且传输速度高达40 Gbit/s的高速接口 (Tx / Rx)，ESD保护应用特别需要具有超低寄生电容和低钳位电压的TVS二极管。新的B74111U0033M060和B74121U0033M060型元件的在1 MHz条件下的寄生电容分别为0.48 pF和0.65 pF，钳位电压仅为3.8 V或3.9 V，ITLP为8 A，不会干扰信号完整性，
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
Littelfuse推出用于表面安装式封装的新LTKAK2-L系列大功率瞬态抑制二极管
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出最新产品LTKAK2-L系列大功率瞬态抑制二极管。 这种表面安装式解决方案满足了市场对兼容自动化PCB组装工艺的高浪涌额定值瞬态抑制二极管的需求。
Littelfuse推出采用表面安装式封装的SZSMF4L汽车级400瓦瞬态抑制二极管
芝加哥，2023年8月4日-- Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出新型SZSMF4L 400 W瞬态抑制二极管系列。 汽车电子产品的数量和复杂程度正在不断增加，而所有这些组件都需要针对高电压、高能瞬态的保护。
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL－D 汽车安全关键应用
意法半导体 STPM801是率先市场推出的车规集成热切换的理想二极管控制器，适合汽车功能性安全应用。这款理想二极管控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。
Vishay推出业内先进的标准整流器与TVS二合一解决方案
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年8月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内先进的标准整流器与瞬变电压抑制器（TVS）二合一器件---R3T2FPHM3，为汽车应用提供新型表面贴装解决方案。Vishay General Semiconductor R3T2FPHM3采用氧化物平面芯片结设计和共阴极电路配置，将3 A，600 V标准整流器和200 W TRANSZORB® TVS组合在小型Fla
TDK推出TVS二极管样品套件
TDK株式会社（东京证券交易所代码：6762）新近推出一款样品套件 (B74999T9999M099)。套件中包括十种不同类型的超紧凑TVS二极管，其中有五种属于通用型GP系列，广泛用于为智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备和网络组件等应用提供过电压保护；另外五种则属于高速ULC系列，专为非常敏感的高速接口（如USB-C、Thunderbolt、HDMI、Display Port、MIPI、FireWire、DVI、S-ATA或SWP/NFC）而调校。所有过电压保护二极管均可提供超紧凑的封装，包括W
Bourns 推出全新高能量二电极 GDT 系列 具备极高额定电流，适用于交流电力线应用
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出全新高能量二电极气体放电管 (GDT) 系列。Bourns® GDT212E、GDT216E、GDT220E 和 GDT225E 系列旨在为 AC 电力线和其他易受大电流浪涌影响的高要求应用提供保护。新款高能量 GDT 符合 IEC 防雷等级分类、UL1449 第 5 类别和 IEC 61643-311 标准，非常适合部署和安装于 SPD 应用。
国巨推出高功率SMA 600W及SMA 1500W TVS瞬态抑制二极体
随着电动车和5G技术的快速发展所衍生的电子系统也愈来愈复杂，这些系统需要高效、可靠的保护元件来确保其正常运行。然而国巨所推出的二款高功率瞬态抑制二极体TVS - SMAJ-HP6AT及1.5SMBJ-AT系列，提供了卓越的过电压保护，还具备高功率和高可靠性。
纳芯微推出基于创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC: NCA1462－Q1
纳芯微宣布推出基于其自研创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC（信号改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比当前主流的CAN FD车载通信方案，NCA1462-Q1在满足ISO 11898-2:2016标准的前提下，进一步兼容CiA 601-4标准，可实现≥8Mbps的传输速率。凭借纳芯微专利的振铃抑制功能，即使在星型网络多节点连接的情况下，NCA1462-Q1仍具有良好的信号质量；此外，超高的EMC表现，更加灵活、低至1.8V的VIO可有效助力工
