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Nexperia推出拥有业内极低的±1%容差的一系列A-selection齐纳二极管

发布时间:2021-11-17 责任编辑:lina

【导读】基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)宣布推出业内首批A-selection齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差仅有±1%,相比B(±2%)和C(±5%)版本,可提供更高精度的基准电压。这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求,也可以支持Q产品组合器件。


产品范围全面,涵盖从1.8V至75V的各种应用


基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)今天宣布推出业内首批A-selection齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差仅有±1%,相比B(±2%)和C(±5%)版本,可提供更高精度的基准电压。这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求,也可以支持Q产品组合器件。


Nexperia推出拥有业内极低的±1%容差的一系列A-selection齐纳二极管


“Nexperia的A-selection齐纳二极管涵盖从1.8V至75V的各种应用,提供高精度、低容差基准电压,”Nexperia产品经理Paula Stümer介绍,“如果向栅极-源极路径或漏极-栅极路径施加极限电压,或从更多种类的合适的MOSFET中进行选择,用具有焊盘兼容性的A-selection齐纳二极管代替B-或C-selection,工程师可以将MOSFET的性能发挥到极致。”


A-selection齐纳二极管的正常工作电压范围为1.8V至75V(E24范围)。这些器件的非重复反向峰值功耗≤40W,总功耗≤250mW,差分热阻低。低容差可提供更高精度的电压,对应用的测试与测量尤其关键,可帮助工程师取代成本更高的电压基准器件。相比直接保护MOSFET,另一种替代方案更为经济,即将漏极-栅极路径与齐纳二极管并联。齐纳二极管被击穿后,MOSFET随即导通,防止漏极-源极发生雪崩击穿。


A-selection齐纳二极管还可用于Q产品组合器件,符合AEC-Q101和ISO/TS16949汽车质量标准。这些标准的重点是满足汽车原始设备制造商的压力测试资格,以及质量管理体系的要求。与此同时,客户的需求不断发展,越来越多的非汽车应用需要额外的质量相关服务,例如生产零件批准过程(PPAP)和更长的供货计划。此类标准器件和Q产品组合器件的另一个不同之处是产品变更通知(PCN)的期限,根据JEDEC的要求,期限从90天延长至180天。此外,所有部件的供货计划至少为10年,保质期超过两年。


Nexperia继续在技术和内部产能方面加大投入。A-selection齐纳二极管现可提供样品,并已投入大批量生产。


关于Nexperia


Nexperia,作为生产大批量基础半导体器件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付1000多亿件产品,产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面获得行业广泛认可,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。


凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001认证。


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