你的位置:首页 > 新品 > 正文

0.09pF结电容!强茂新一代ESD系列重新定义高速信号保护边界

发布时间:2025-05-26 责任编辑:lina

【导读】在5G通信、HDMI 2.1(48Gbps)及USB4(40Gbps)高速接口普及的当下,传统ESD防护器件因 插入损耗高、封装体积大 成为信号完整性的瓶颈。强茂电子推出第二代ESD保护二极管系列,以 0.09pF结电容、-0.25dB@15GHz插入损耗 及 0.6mm×0.3mm微型封装 ,直击消费电子与通信设备的防护痛点,重新定义高速信号保护的技术边界。


在5G通信、HDMI 2.1(48Gbps)及USB4(40Gbps)高速接口普及的当下,传统ESD防护器件因 插入损耗高、封装体积大 成为信号完整性的瓶颈。强茂电子推出第二代ESD保护二极管系列,以 0.09pF结电容、-0.25dB@15GHz插入损耗 及 0.6mm×0.3mm微型封装 ,直击消费电子与通信设备的防护痛点,重新定义高速信号保护的技术边界。


0.09pF结电容!强茂新一代ESD系列重新定义高速信号保护边界


产品功能:全场景防护技术矩阵


0.09pF结电容!强茂新一代ESD系列重新定义高速信号保护边界


技术突破:三大创新重构行业标准

1. 高频无损传输技术

● 采用梯度掺杂工艺优化PN结结构,15GHz频段下插入损耗仅-0.25dB,较上一代降低40%;

● 动态阻抗低至0.2Ω(@8kV),响应时间<0.5ns。


2. 微型封装工艺

● DFN0603-2L封装体积0.6mm³,较传统SOD-323缩小70%,适配可穿戴设备内部紧凑空间;

● 铜柱凸点焊接技术提升散热能力,功率密度达5W/mm²。


3. 多通道集成设计

● DFN2510A-10L通过3D堆叠实现10路独立防护,支持PCIe 5.0/USB4多协议共存;

● 集成自恢复功能,可承受1000次8kV ESD冲击。


竞品对比分析:性能与成本的降维打击


0.09pF结电容!强茂新一代ESD系列重新定义高速信号保护边界


行业价值:破解高速接口的“信号-安全”悖论


强茂ESD 2.0系列通过 “高频性能+微型化”双引擎 ,解决三大产业难题:

● 信号完整性:HDMI 2.1实现8K@120Hz零画质损失;

● 空间利用率:TWS耳机PCB节省50%防护器件面积;

● BOM成本:Type-C接口防护方案成本降低60%。


0.09pF结电容!强茂新一代ESD系列重新定义高速信号保护边界


0.09pF结电容!强茂新一代ESD系列重新定义高速信号保护边界


技术难题与解决方案

1. 高频损耗与防护效能矛盾

● 问题:降低结电容会削弱ESD泄放能力;

● 方案:采用多级PN结串联结构,在0.09pF电容下实现8kV防护等级。


2. 微型封装热失效风险

● 问题:0.6mm封装散热面积不足导致热积累;

● 方案:纳米银胶封装材料将热阻降至10℃/W。


应用场景与市场前景


● 消费电子:智能手机摄像头模组(防护CMOS传感器,失效率<10ppm);

● 通信设备:5G毫米波基站AAU单元(支持28GHz频段,插损<-0.3dB);

● 工业自动化:千兆以太网PHY芯片防护(满足IEC 61000-4-5 Level 4)。


据Market Research Future数据,2025年全球ESD防护器件市场规模将达$18亿,5G相关应用占比超35%。强茂凭借此系列有望抢占15%市场份额。


未来展望:向太赫兹与自供电演进

强茂技术路线图披露:

● 2024年推出支持60GHz频段的ESD芯片,适配WiGig无线传输;

● 2025年研发自供电ESD模块(能量收集技术),实现零功耗防护;

● 2026年布局车规AEC-Q101认证产品,进军新能源汽车市场。


结语:国产防护器件的“隐形冠军”之路


强茂第二代ESD方案以 “参数比肩国际,成本碾压竞品” 的策略,撕开被美日厂商垄断的高端市场缺口。其技术路径证明:在半导体细分领域,中国厂商可通过 工艺创新 与 场景深挖 实现弯道超车。随着5G与AIoT设备爆发,兼具高频性能与微型化的防护方案将成为电子工业的标配基建。


我爱方案网


推荐阅读:

高刚度+微尺寸,鑫精诚发布石英压电传感器突破微观测量极限

导通电阻1.2mΩ!强茂SGT-MOSFET的车用效能突破 

无晶振设计+全功能集成:HOLTEK高性价比单片机重塑工业控制市场

色彩还原+感光度双优!思特威全新SC4336H图像传感器重塑安防视觉体验

纳芯微发布车规级双通道驱动芯片NSD3602-Q1破解多负载控制难题


特别推荐
技术文章更多>>
技术白皮书下载更多>>
热门搜索
 

关闭

 

关闭