【导读】全球存储市场正面临三十年来最严峻的供给侧变革。慧荣科技总经理苟嘉章指出，由AI推理应用爆发与高端手机市场需求复苏共同驱动的存储芯片短缺，已造成供需缺口高达200% 的紧张局面。行业为抢占明年产能展开激烈争夺，这一结构性缺货状态预计将至少持续至2026年。
全球存储市场正面临三十年来最严峻的供给侧变革。慧荣科技总经理苟嘉章指出，由AI推理应用爆发与高端手机市场需求复苏共同驱动的存储芯片短缺，已造成供需缺口高达200% 的紧张局面。行业为抢占明年产能展开激烈争夺，这一结构性缺货状态预计将至少持续至2026年。
核心短缺范畴与原因：
●HBM（高带宽内存）需求激增：微软、谷歌、亚马逊、Meta等大型云服务厂商全力投入AI推理领域，推动HBM需求急速增长。
●产能挤压效应：由于HBM利润丰厚，三星、SK海力士等原厂将产能优先转向HBM及DDR5，显著挤压了传统DDR4与消费级存储产品的供给。生产HBM所消耗的晶圆更是普通DRAM的三倍以上。
●供应紧张的现实影响：部分服务器用DDR5内存的订单交货率仅约70%。供应链消息称，英伟达在与三星洽谈时，双方讨论焦点已从价格转向如何确保稳定供应。
市场现状与价格表现：
存储市场目前已进入 “不同价格，有货就收” 的阶段。甚至如苹果这样的强势客户，也在积极争取2026年的产能分配。终端市场已感受到压力，深圳华强北的商家表示，内存条价格在短时间内翻了一番。
未来展望：
●DRAM：预计2026年将全年缺货，随着新厂投产，2027年有望出现缓解迹象。
●NAND Flash：同样面临持续短缺，业内预判其供应紧张局面可能拉长至十年之久。
●本质：此轮缺货潮并非由产能削减引起，而是AI推理与高端手机需求共同驱动的 “结构性缺货” ，即便存在重复下单，实际需求依然强劲。
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