【导读】AI浪潮正引发存储产业三十年未遇的供给侧变革。全球存储巨头SK海力士的DRAM库存已降至仅两周供应量，运营进入“即产即销”状态，其NAND闪存库存也骤降至4-5周。这一极端情况揭示了由AI推理与高端手机共同驱动的存储芯片短缺已陷入深度失衡。
AI浪潮正引发存储产业三十年未遇的供给侧变革。全球存储巨头SK海力士的DRAM库存已降至仅两周供应量，运营进入“即产即销”状态，其NAND闪存库存也骤降至4-5周。这一极端情况揭示了由AI推理与高端手机共同驱动的存储芯片短缺已陷入深度失衡。
供需缺口与价格表现
行业供需缺口已达200%，刺激价格全线飙升。通用DRAM合约价连续7个月上涨，10月再度跳涨11.11%；NAND闪存价格更是猛增14.93%，创下十年来最大单月涨幅。供应链消息称，英伟达在与三星洽谈时，双方已不再纠结于价格，核心诉求是锁定未来两年的稳定供应。
HBM的核心驱动与产能挤压
微软、谷歌、亚马逊、Meta等云服务巨头全力投入AI推理，是推动HBM（高带宽内存）需求爆发的核心动力。由于生产HBM所消耗的晶圆是普通DRAM的三倍以上，三星、SK海力士等原厂将产能大幅向HBM与DDR5倾斜，严重挤压了传统DDR4及消费级存储的供给，部分服务器用DDR5订单交货率仅约70%。
厂商状态与未来展望
SK海力士2025年第三季度营业利润同比激增62%，并确认其2026年的HBM、DRAM和NAND产能已被全部预订一空。其最新一代HBM4芯片已完成开发，计划于第四季度正式出货。业内预判，DRAM市场在2026年将全年缺货，而NAND的供应紧张局面可能拉长至十年之久。
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