【导读】2025年10月，长鑫存储在IEEE 2025 ASICON会议上正式宣布，已实现LPDDR5X内存芯片的量产。这一进展标志着中国在高端存储芯片领域取得重要突破。
中国芯片产业在高端存储领域迈出关键一步，长鑫存储最新LPDDR5X内存芯片已进入量产阶段，性能对标国际一流水平。
01 技术突破，长鑫存储实现LPDDR5X量产
2025年10月，长鑫存储在IEEE 2025 ASICON会议上正式宣布，已实现LPDDR5X内存芯片的量产。这一进展标志着中国在高端存储芯片领域取得重要突破。
性能达世界主流水平，长鑫存储LPDDR5X芯片的最高速率可达10667Mbps，与SK海力士等国际大厂同类产品性能对标。
相比前代LPDDR5产品，此次量产的新品性能提升显著，速度增加66%，功耗却降低30%。
值得注意的是，长鑫存储从2023年11月发布LPDDR5到如今量产LPDDR5X，间隔不到两年，展现出惊人的技术迭代速度。
02 产品阵容，覆盖多形态与多容量
长鑫存储此次推出的LPDDR5X产品线布局完整，覆盖了从颗粒到模组的多种形态。
产品形态多样化，根据长鑫存储公布的信息，其LPDDR5X产品阵容包括颗粒、芯片及模组等不同形态。
在颗粒方面，长鑫存储提供了12Gb和16Gb两种容量选项，满足不同层级的需求。
芯片形态则提供了覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点的解决方案。
模组方面，长鑫存储推出了LPCAMM形态的产品，容量分别为16GB和32GB，为高端移动设备提供更大内存支持。
03 速率覆盖，满足不同市场需求
长鑫存储LPDDR5X产品在速率配置上覆盖了主流到高端的全系列需求。
产品速率覆盖8533Mbps、9600Mbps和10667Mbps三个等级，同时保持对LPDDR5协议的兼容性。
量产进度各不相同，其中8533Mbps和9600Mbps速率的产品已于2025年5月正式投入量产。
而10667Mbps速率的产品则已启动客户送样流程，即将进入市场。
这种分阶段推进的策略，既满足了当前市场需求，也为后续高端产品留出了空间。
04 技术创新，小型封装与低功耗
长鑫存储在LPDDR5X产品上实现了多项技术创新，显著提升了产品竞争力。
封装技术突破，长鑫存储在LPDDR5X上率先采用uPoP小型化封装技术，有助于满足高端移动设备对轻薄化设计的需求。
这一创新封装技术通过优化封装工艺与内存架构，在容量、速度和能效方面均实现显著提升。
能效表现突出，LPDDR5X作为第五代低功耗双倍数据速率动态随机存储器，在保持高性能的同时，功耗比LPDDR5降低了30%。
这种低功耗特性对于续航能力要求高的移动设备来说，具有重要价值。
05 产业背景，国产芯片加速发展
长鑫存储此次量产LPDDR5X芯片，正值公司发展的关键时期。
产业布局调整，今年长鑫存储开始减少DDR4的出货量，逐步将重心转移到DDR5，打算升级工艺并增加产量。
技术持续进阶，据报道，长鑫存储还在HBM3和HBM3E上发力，其中HBM3样品已经交付客户，显示出公司在高端存储领域的全面布局。
资本市场进展，根据证监会网站显示，长鑫存储最近已完成首次公开募股的辅导工作，预计明年第一季度上市，估值高达人民币3000亿元。
随着10677Mbps规格的LPDDR5X芯片完成客户送样，长鑫存储在高端存储芯片领域已稳步扎根。
从LPDDR5到LPDDR5X，再到未来的HBM3，中国存储芯片产业正在国际舞台上稳步前行。
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