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市场

手机续航2周！1nm芯片工艺技术曝光：性能提升200％，功耗降低85％

目前全球芯片核心技术已经来到了4nm工艺，根据最新消息称，三星和台积电将突破4nm来抢首发3nm工艺，而1nm将成为分水岭，需要突破全新半导体技术。而好消息是近期IBM和三星1nm技术有望突破，搭载此芯片的手机续航可达2周。

2021-12-16

手机续航芯片

三星将于2029年推出DDR6内存：带宽将超100GB/s

今年11月份，随着Intel的12代酷睿处理器发布上市，DDR5内存也闪亮登场，未来几年里就要接替DDR4了，不过三星也在准备下一代的DDR6内存了，频率有望再次翻倍，预计2029年问世。

2021-12-16

三星 DDR6

SK海力士宣布提供24Gb DDR5样品，为业内最大容量

12月15日，SK海力士宣布提供业内DRAM单一芯片容量最大的24Gb DDR5样品。据悉，目前常用的DDR DRAM容量主要是8Gb和16Gb，最大容量为16Gb。24Gb DDR5产品采用了EUV工艺的第四代10纳米级（1a）技术，相较第二代10纳米级（1y）DDR5产品单一芯片容量从16Gb提升至24Gb，从而改善了生产效率，其速度提升高...

2021-12-16

SK海力士 DDR5

市场供过于求预估2022年首季NAND Flash跌价10~15％

根据研调机构TrendForce表示，随着主要智慧型手机品牌厂的旺季备货告终，加上ODM将迎接新年假期，2022年第一季将明显迎来淡季需求调整，市场将维持供过于求的现象，价格将持续修正。预估明年首季NAND Flash价格将下跌10~15%，且应为全年跌幅最明显的季度。

2021-12-15

供过于求 NAND Flash 跌价

从Fan-out与Fan-in看FOPLP封装发展趋势

2021年由于半导体缺货持续，且封测代工产业也因中高阶载板供应不足下，导致原有应用于先进封装如BGA、Flip Chip 与SiP 等交货进度受部分影响，驱使无载板、可一次性大面积封装且有效降低制造成本的面板级封装FOPLP 应用备受瞩目。

2021-12-15

Fan-out Fan-in FOPLP封装

旺宏电子：明年Q1 NOR Flash报价上调5-10％

据digitimes报道，业内消息人士透露，旺宏计划在2022年第一季度将其NOR Flash报价上调5-10%，而其同行华邦电则希望维持报价。

2021-12-15

旺宏电子 NOR Flash

2021年车用LED产值预估将达35.1亿美元，艾迈斯欧司朗营收居冠

根据TrendForce集邦咨询「2020-2021全球车用 LED 产品趋势与区域市场分析」研究显示，2021年全球LED头灯渗透率超过60%，其中新能源车种的渗透率更是高达90%以上。随着车市出货提升以及LED照明渗透率推升的双重成长动能下，预估2021年全球车用LED市场产值将达35.1亿美元，年成长率31.8%，显示出LED...

2021-12-14

台晶圆

2021年全球电源管理芯片价格年涨10%，2022上半年供应仍吃紧

根据TrendForce集邦咨询表示，由于电源管理芯片（PMIC）属于半导体缺货潮的短料，至今涨价态势依然持续，预估2021年平均销售单价（ASP）年涨幅近10%，创下近六年来最高。

2021-12-14

电源管理芯片价格

需求淡季预估2022年首季DRAM价续跌8~13％

根据研调机构TrendForce表示，观察第四季各终端产品的出货表现，由于先前长短料窘境有所缓解，使笔电的出货总数与第三季大致持平。随着PC OEMs端的DRAM库存周数有所下降，促使TrendForce进一步收敛明年首季的价格跌幅。但是，由于明年首季需求面将走入淡季，因此DRAM均价将维持下跌趋势，预估跌幅为...

2021-12-14

需求 DRAM 价格续跌

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需求淡季 预估2022年首季DRAM价续跌8~13％

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