【导读】目前全球芯片核心技术已经来到了4nm工艺，根据最新消息称，三星和台积电将突破4nm来抢首发3nm工艺，而1nm将成为分水岭，需要突破全新半导体技术。而好消息是近期IBM和三星1nm技术有望突破，搭载此芯片的手机续航可达2周。
目前全球芯片核心技术已经来到了4nm工艺，根据最新消息称，三星和台积电将突破4nm来抢首发3nm工艺，而1nm将成为分水岭，需要突破全新半导体技术。而好消息是近期IBM和三星1nm技术有望突破，搭载此芯片的手机续航可达2周。
在今年上半年，三星和IBM公布了全球2nm工艺芯片，现在双方在1nm工艺上又有了新的突破，推出了VTFET（垂直传输场效应晶体管）技术，与传统晶体管的电流水平方向传输不同，是垂直方向传输的，有望进军1nm及以下工艺。
根据三星和IMB的官方说法是，VTFET技术有两个优势，一是可以绕过现有技术等多种限制，进一步扩展摩尔定律，另一个就是大幅度提高性能，采用VTFET技术的芯片，速度可以提升多达2倍，降低85%的功耗。
如果这个技术量产了，那么手机芯片能效比将大幅提高，手机可以充一次电使用2周时间，不过目前三星和IBM还没有公布1nm量产的时间，所以还是要等的。
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