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传芯片供应商将在今年Q4提高176层3D NAND芯片产量

发布时间:2021-11-24 责任编辑:lina

【导读】台湾电子时报11月23日讯,据业内人士透露,主要NAND芯片供应商将在今年第四季度提高176层3D NAND芯片产量。美光科技率先将其176层3D NAND闪存制造工艺转向量产,SK海力士在第四季度开始量产,三星电子也将安装新的生产线,届时将有4万-5万片的月产能。


台湾电子时报11月23日讯,据业内人士透露,主要NAND芯片供应商将在今年第四季度提高176层3D NAND芯片产量。美光科技率先将其176层3D NAND闪存制造工艺转向量产,SK海力士在第四季度开始量产,三星电子也将安装新的生产线,届时将有4万-5万片的月产能。


 传芯片供应商将在今年Q4提高176层3D NAND芯片产量

图片来源于网络


到2022年底,超过25%的NAND闪存位供应将是176层3D NAND闪存芯片。自第四季度以来,电源管理IC和闪存设备控制器芯片的短缺情况一直在改善,这鼓励NAND闪存芯片制造商扩大产量。预计到2022年上半年,NAND闪存的供应将超过需求。



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