【导读】台湾电子时报11月23日讯，据业内人士透露，主要NAND芯片供应商将在今年第四季度提高176层3D NAND芯片产量。美光科技率先将其176层3D NAND闪存制造工艺转向量产，SK海力士在第四季度开始量产，三星电子也将安装新的生产线，届时将有4万-5万片的月产能。
台湾电子时报11月23日讯，据业内人士透露，主要NAND芯片供应商将在今年第四季度提高176层3D NAND芯片产量。美光科技率先将其176层3D NAND闪存制造工艺转向量产，SK海力士在第四季度开始量产，三星电子也将安装新的生产线，届时将有4万-5万片的月产能。
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到2022年底，超过25%的NAND闪存位供应将是176层3D NAND闪存芯片。自第四季度以来，电源管理IC和闪存设备控制器芯片的短缺情况一直在改善，这鼓励NAND闪存芯片制造商扩大产量。预计到2022年上半年，NAND闪存的供应将超过需求。
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