【导读】三大DRAM原厂近期缩减供货量，加上生产链中的DRAM库存水位明显偏低，ODM／OEM厂或系统厂在预期DRAM将供给吃紧情况下提前进行库存回补，带动近期DRAM现货价格急涨。
4Gb DDR4 2400MHz现货价走势图／本报资料照片
2021年以来4Gb DDR4及DDR3颗粒累计涨幅扩大至10～20％，法人认为有利于南亚科（2408）、华邦电（2344）、晶豪科（3006）、威刚（3260）等业者2021年营运表现。
DRAM现货价近日内出现急涨走势，包括标准型、利基型、行动式等DRAM价格全面上涨。根据模组业者消息，标准型8Gb DDR4现货价达3.55～4.05美元，4Gb DDR4现货价涨至2.1～2.6美元。利基型4Gb DDR3近期价格涨势凌厉，现货价已涨至2.45～2.75美元，2Gb DDR3现货价也涨至1.6～2.2美元。
模组业者指出，DRAM现货价2020年12月大涨20％，2021年1月上旬价格续涨但涨势和缓，不过近期因为DRAM厂供货量明显减少，通路及终端的追价力道转强，1月下旬DRAM现货价出现急涨走势，累计1月以来标准型DRAM涨幅已达10％左右，而利基型DRAM价格涨幅更扩大至20％上下。
由供给面来看，三大DRAM厂近期正在进行制程及产品线转换，标准型DRAM颗粒供货量明显减少。同时，韩系DRAM厂将旧生产线移转量产CMOS影像感测器，则导致DDR3供货量持续降低，利基型DRAM供给吃紧情况更为明显。
但由需求面来看，5G手机、笔电及伺服器等生产链在2020年下半年进行DRAM库存调整降至四周以内，然而DRAM厂近期供货量减少，同时在预期2021年DRAM市场将供给吃紧且价格看涨的情况下，回补库存买盘持续涌现，追价採购的态势明确，所以带动现货价急涨行情。由于三大DRAM厂供货持续紧缩，预期现货价将会续涨到农历年后。
DRAM现货价持续拉高，第一季标准型、伺服器、绘图型、利基型等DRAM合约价都将止跌回升，由于三大DRAM厂2021年仍严格管控产能增加幅度，业界对于合约价逐季上涨到第四季已有共识。法人指出，DRAM价格回升，对南亚科、华邦电、晶豪科、威刚等营收及获利均将带来成长动能，看好2021年营运将随着价格走势逐季成长。
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