【导读】由Moortec开发的片内传感器结构已可用于台积电（TSMC）的N6工艺制造，用于移动，消费类应用，人工智能，网络，5G基础设施， GPU和高性能计算。
该结构的传感器可在生产测试和实时动态条件测量期间监控关键的芯片参数。芯片内感测是在当今先进的制程技术中实现最高水平的性能和可靠性的基本要素，它是优化方案，遥测和半导体生命周期分析的基础。热传感器已经针对5nm的N5工艺开发。
Moortec首席执行官Stephen Crosher说：“我们很高兴为台积电的N6工艺设计生态系统提供完整的传感结构解决方案，这表明尽管最近发生了全球性事件，但Moortec仍然能够提供引人注目的产品。”
“我们与台积电的长期合作使我们能够倾听客户的心声并了解他们的需求，从而使我们能够提供可在芯片内部提供实时洞察的传感解决方案，从而确保了早期的最佳设备性能和可靠性。市场客户。”
N6工艺是7nm（N7）工艺的一种变体，具有相同的设计规则，但尺寸减小了18％，从而可以重复使用7nm设计。
台积电业务发展副总裁张凯博士表示：“TSMC N6技术将进一步扩大我们在提供产品性能，成本和成本优势方面超越当前N7的领先地位。基于我们7nm技术的广泛成功，我们有信心，我们的客户将能够利用当今完善的设计生态系统，从新产品中快速提取更高的产品价值。”
台积电设计基础设施管理部高级总监Suk Lee说：“我们很高兴与Moortec合作，在台积电的N6工艺上使用其传感解决方案，以解决领先的移动和高性能计算应用的计算能力不断提高的设计挑战。”
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