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三星计划2021年推GAA技术3纳米制程

发布时间:2019-05-16 责任编辑:lina

【导读】在先进制程的发展上,台积电与三星一直有着激烈的竞争。虽然,台积电已经宣布将在 2020 年正式量产 5 纳米制程。
 
在先进制程的发展上,台积电与三星一直有着激烈的竞争。虽然,台积电已经宣布将在 2020 年正式量产 5 纳米制程。不过,三星也不甘示弱,预计透过新技术的研发,在 2021 年推出 3 纳米制程的产品。根据三星表示,其将推出的 3 纳米制程产品将比当前的 7 纳米制程产品效能提升 35%,能耗也再降低 50%,而且芯片的面积也再减少 45%。
 
三星计划2021年推GAA技术3纳米制程
 
根据外媒报导,三星 14 日于美国加州所举办的晶圆制造论坛 (Samsung Foundry Forum) 上宣布,目前三星正在开发一项名为 环绕栅极 (gate all around,GAA)   的技术,这个被称为当前 FinFET 技术进化版的生产技术,能够对芯片核心的晶体管进行重新设计和改造,使其更小更快。三星指出,预计 2021 年透过这项技术所推出的 3 纳米制程技术,将能使得三星在先进制程方面与台积电及英特尔进行抗衡,甚至超越。而且,能够解决芯片制造缩小过程中所带来的工程难题,以延续摩尔定律的持续发展。
 
而根据国际商业战略咨询公司 (International Business Strategies) 执行长 Handel Jones 表示,目前三星正透过强大的材料研究让晶圆制造技术获得发展。而在 GAA 的技术发展上,三星大约领先台积电 1 年的时间,而英特尔封面则是落后三星 2 到 3 年。三星也强调,GAA 技术的发展能够期待未来有更好的图形技术,人工智能及其他运算的进步,以确保未来包括智能型手机、手表、汽车、以及智慧家庭产品都能够有更好的效能。
 
事实上,之前三星就宣布将在未来 10 年内投资1,160 亿美元来发展非存储器项目的半导体产业,以成为未来全球的半导体产业霸主。其中,透过 GAA 技术发展的 3 纳米制程技术就是其中重要的关键。三星希望藉此吸引包括苹果、NVIDIA、高通、AMD 等目前台积电客户的青睐,以获取更多晶圆生产上的商机。
  
 
 
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