【导读】Mouser推出Cree公司的业界首款1200V高频碳化硅半电桥模块CAS100H12AM1，在单个半电桥封装中结合SiC MOSFET和SiC肖特基二极管，工作频率最高可达100kHz，可在1200V阻断电压下提供100A电流处理能力。
近日，Mouser Electronics宣布备货Cree公司的CAS100H12AM1，这是业界首款在单个半电桥封装中结合SiC MOSFET和SiC肖特基二极管的产品。
图：Cree业界首款1200V高频SiC半电桥模块
Cree CAS100H12AM1 1200V高频碳化硅半电桥模块是首款商用全碳化硅(SiC)电源模块。 它还是首款在单个半电桥封装中结合SiC MOSFET和SiC肖特基二极管的合格模块。这款新的二元模块拥有适合高频工作的超低损耗和高耐用性。CAS100H12AM1的工作频率最高可达100kHz，可在1200V阻断电压下提供100A电流处理能力。更高的工作频率可实现紧凑而轻便的系统，而且可在系统中采用较为便宜的电感器和电容器。CAS100H12AM1非常适合工业应用，包括高功率转换器、电机驱动器、太阳能转换器、UPS和SMPS以及感应加热。
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