【导读】外资投行巴克莱（Barclays）在最新发布的车载半导体报告中发出警告：继消费电子与数据中心之后，车用DRAM也将出现供应缺口。这一预警的背景，是当前DRAM市场出现的罕见现象：成熟制程的DDR4价格飙升，其年增长率与涨幅甚至超过了更新的DDR5，表明旧技术并未因迭代而降价，反而因供需矛盾进入“供给约束型价格爆发”新阶段。
外资投行巴克莱（Barclays）在最新发布的车载半导体报告中发出警告：继消费电子与数据中心之后，车用DRAM也将出现供应缺口。这一预警的背景，是当前DRAM市场出现的罕见现象：成熟制程的DDR4价格飙升，其年增长率与涨幅甚至超过了更新的DDR5，表明旧技术并未因迭代而降价，反而因供需矛盾进入“供给约束型价格爆发”新阶段。
预期三大原厂于2026年将全面转向HBM，车用DRAM供给将持续承压。
从价格表现来看，DRAM存储芯片已呈现非线性价格攀升特征。
截至2026年1月，DDR4年增率高达1845%，相较2025年6月涨幅超过1099%，甚至高于DDR5的465%。
表明成熟制程DRAM已脱离传统技术迭代周期的价格规律，进入供给约束型价格爆发新阶段。
市场原本预估车载DRAM在2026-2027年的价格涨幅将在30%-100%之间，但当前现货市场价格已远超这一预期。在极端市场情景下，若DRAM年度涨幅达到500%，高端电动汽车的车载DRAM成本将从2025年的200美元飙升至1200美元，单台成本压力骤增1000美元，这无疑将对车企的成本控制带来巨大挑战。
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