【导读】全球存储巨头三星电子在2026年第一季度，将NAND闪存的供应价格上调了100%以上，涨幅远超市场预期，凸显了半导体市场极端的供需失衡。这一动作紧随此前DRAM价格被曝上调近70%的消息，标志着存储市场进入全面、剧烈的价格上涨通道。据悉，三星已在去年底与主要客户完成新合约谈判，并从1月起执行新价格。目前，公司正与客户就第二季度的NAND价格进行新一轮谈判，市场普遍预期涨势将持续。
全球存储巨头三星电子在2026年第一季度，将NAND闪存的供应价格上调了100%以上，涨幅远超市场预期，凸显了半导体市场极端的供需失衡。这一动作紧随此前DRAM价格被曝上调近70%的消息，标志着存储市场进入全面、剧烈的价格上涨通道。据悉，三星已在去年底与主要客户完成新合约谈判，并从1月起执行新价格。目前，公司正与客户就第二季度的NAND价格进行新一轮谈判，市场普遍预期涨势将持续。
高盛集团最新渠道调查显示，DRAM芯片现货市场价格较合约价出现历史罕见的大幅溢价。
自2026年开年以来，DDR5现货报价持续走强，较2025年12月合约价溢价约76%，DDR4内存溢价更高达172%。
这种罕见的价格结构表明，下游采购方的议价能力正在急速弱化。历史经验显示，当现货价长期大幅领先合约价时，通常意味着合约价格将被动向上调整以追赶现货市场。在供给收缩与AI等需求扩张同步发生的当下，这种价格传导效应尤为强烈且难以避免。
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