在近期召开的2025年第三季度法人说明会上，力积电释放出DRAM代工业务持续向好的积极信号。公司总经理朱宪国表示，受AI应用推动高端存储需求爆发，利基型DRAM因产能排挤效应供应紧张，代工价格持续上涨，且此轮涨势有望延续至2026年上半年。与此同时，公司的先进封装布局也取得显著进展，为未来增长注入新动力。

业绩改善：亏损收窄，产能利用率提升

力积电2025年第三季的营运表现显示出改善迹象，主要受益于存储器产品出货增加及其他因素。

• 营收增长与亏损收窄：第三季合并营收为118.4亿元新台币，环比增长5%。税后净损为27.28亿元，相比第二季的净损33.3亿元有所收窄，每股净损从0.8元改善至0.65元。

• 产能利用率提升：第三季产能利用率从第二季的75%提升至78%，出货量约44万片12吋约当晶圆，季增9.73%。

• 改善动因：业绩改善主要得益于存储器产品出货放大、存貨跌價損失回沖以及匯損減少。

存储市场：AI驱动HBM需求，利基型DRAM供需紧张

AI的蓬勃发展正在重塑存储市场格局，并给力积电的代工业务带来了明确的机会。

• HBM需求爆发挤压利基型DRAM产能：AI带动HBM（高带宽内存）等高阶记忆体需求爆发，导致各大内存厂商将更多产线转向HBM，从而排挤了利基型DRAM（如DDR3/DDR4）的产能，造成供应紧张，价格持续上涨。

• DDR4需求强劲：此前，国际内存大厂相继退出DDR4市场，推动了报价上涨，客户提前备货，使得力积电的DRAM代工产能利用率从早期的七成左右达到满载状态。

• 其他存储品类价格复苏：

• SLC NAND Flash：因三星与SK海力士减产，价格在第三季看到谷底翻扬。

• NOR Flash：则因AIoT应用需求推升，也出现涨价迹象。

价格走势：代工价格逐季上扬，涨势有望延续

力积电的代工价格也随着市场需求回暖而进入上升通道。

• 代工价格持续上涨：力积电的DRAM代工报价已同步逐月上调，调幅达二位數百分比。由于晶圆代工从投片到产出约需三个月，价格反映相对滞后，预计11月起将更充分地体现存储器涨价效益。

• 后市展望乐观：公司预计第4季投片量与产品价格均将持续成长。朱宪国总经理表示，此轮供需不平衡的趋势，可望维持到明年上半年。

技术布局：先进封装与未来规划

除了主营的代工业务，力积电也在积极布局先进封装等前沿技术，以抓住AI发展带来的机遇。

• 先进封装进展：

• 晶圆堆叠（Wafer-on-Wafer）：已进入客户验证阶段，推估2025年下半年量产。

• 中介层（Interposer）：已有多家客户完成设计定案，达量产水準，将扩大产能满足客户需求。此产品线良率爬升已达量产水平。

• 其他业务重点：电源管理IC（PMIC）与功率元件（如MOS、GaN）等相关产品仍是公司未来营运重点。此外，公司与印度合作设立的12英寸晶圆厂，预计2027年才有机会建成。

综合来看，力积电正受益于AI驱动下的存储市场结构性变化，其DRAM代工业务正迎来明确的上升周期。随着产能维持满载、代工价格持续上扬，以及先进封装等新动能的逐步贡献，公司业绩有望在未來几个季度持续改善。

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