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摩根士丹利:存储市场迎上行周期,DDR4合约价有望大幅攀升

发布时间:2025-10-11 责任编辑:lina

【导读】根据摩根士丹利的最新报告,存储芯片市场的涨价趋势预计将延续至2026年,其中DDR4和DDR3内存的涨势尤为强劲,而NOR Flash的需求也在特定领域推动下稳步增长。


根据摩根士丹利的最新报告,存储芯片市场的涨价趋势预计将延续至2026年,其中DDR4和DDR3内存的涨势尤为强劲,而NOR Flash的需求也在特定领域推动下稳步增长。


摩根士丹利:存储市场迎上行周期,DDR4合约价有望大幅攀升


 旧款存储芯片涨势强劲


摩根士丹利报告指出,旧款存储芯片的繁荣期比市场预期的更强劲,且可能持续更久,直至2026年。


DDR4供应紧张:未来三个季度,DDR4内存预计将持续存在10-15% 的供应缺口。由于后端封装产能的限制,部分DDR4规格的合约价在2025年第四季度可能翻倍上涨。与此同时,DDR4的报价有效期已缩短至不到一个月,意味着价格可能在数周内就向上调整。


DDR3价格跟涨:DDR3的价格也呈现强劲上涨态势,预计在第四季度将实现“高双位数”的增长。


NOR Flash需求稳定:与DRAM相比,旧款闪存的涨价趋势似乎更具可持续性。报告维持对第四季度NOR Flash价格上涨5-10% 的预期。受物联网和服务器领域需求增长驱动,NOR Flash的供应缺口预计将从“低个位数”扩大至“中个位数”。


存储芯片市场现状


DRAM巨头暂停报价:主要的DRAM供应商已停止向企业客户提供报价。诸如三星、SK海力士、美光等DRAM巨头已经暂停企业报价一周。在行业内,这通常是供应短缺、价格上行的信号。


NAND供应寻求支持:在NAND方面,行业巨头SanDisk已开始接触力积电,探讨未来潜在的产能支持。尽管考虑到技术差异等因素,双方合作的可能性较低,但这一举动本身就印证了整个NAND行业正面临供应不足的困境。


结构性短缺是主因:为了全力生产AI服务器使用的HBM(高带宽内存),巨头们将DDR4、DDR3等“过时”产能转移。然而,市场对这些旧款存储芯片的需求依然旺盛,直接导致了结构性的短缺。


投资机会与风险


投资机会显现:在主流芯片高歌猛进的同时,旧款存储芯片市场正在开启一个值得关注的盈利窗口。摩根士丹利也将美光(Micron)的投资评级上调至“优于大盘”。


关注NOR Flash长期需求:报告特别指出,由于每台AirPods需要三颗高密度NOR Flash芯片,到2026年,仅AirPods就可能占据全球NOR Flash需求的5-10%。这表明NOR Flash的价格上涨趋势有望持续到2026年。


总结与展望


本次存储芯片涨价潮,尤其是旧款产品的强劲表现,主要源于AI驱动下产能转移导致的结构性供应短缺。目前,包括DDR4、DDR3和NOR Flash在内的多种存储芯片价格均呈现上涨态势,且这一趋势预计将持续至2026年。


希望以上信息能帮助你全面了解当前存储市场的动态。如果你对特定类型的存储芯片或其具体应用场景有进一步的疑问,我很乐意与你继续交流。


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